LMG3526R030RQSR

6 643,20 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

LMG3526R030RQSR от Texas Instruments

Общее описание

LMG3526R030RQSR — это высокопроизводительный ключ GaN (нитрид галлия) от компании Texas Instruments, созданный для работы с высокими напряжениями и токами. Компонент рекомендуется для применения в устройствах, требующих высокой эффективности и плотности мощности, таких как источники питания, преобразователи и инверторы.

Преимущества

  • Высокая эффективность: Благодаря использованию технологии GaN, этот ключ обеспечивает минимальные потери на переключение.
  • Высокая плотность мощности: Меньший размер и вес по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.
  • Повышенная надежность: В интегрированном драйвере предусмотрены функции защиты от перенапряжения и перегрева.

Недостатки

  • Стоимость: Компоненты на основе GaN дороже, чем традиционные кремниевые аналоги.
  • Сложность управления: Требует более тщательного проектирования системы управления для оптимальной работы.

Типовое использование

  • Источники питания с высокой плотностью мощности
  • Преобразователи DC-DC и DC-AC
  • Автомобильная электроника
  • Телекоммуникационные системы
  • Серверы и оборудование для центров обработки данных

Рекомендации по применению

  1. Температурный режим: Учитывайте рабочую температуру и охлаждение для предотвращения перегрева.
  2. Печатная плата: Продумайте топологию платы для минимизации паразитных индуктивностей и силовых потерь.
  3. Экранирование и заземление: Используйте экранирование и правильное заземление для минимизации электромагнитных помех.

Основные технические характеристики

  • Напряжение питания (Vds): до 650 В
  • Сопротивление канала (Rds(on)): 30 мОм
  • Ток (Id): до 55 А
  • Корпус: 52-VQFN Exposed Pad
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж с фланцем для пайки

Возможные аналоги

  • EPC2059 от EPC: Мощный GaN MOSFET, предлагающий подобные характеристики.
  • GS66508B от GaN Systems: Высокоэффективный GaN транзистор.
Примечание: Перед выбором аналогичного компонента рекомендуется провести подробный сравнительный анализ и тестирование в реальных условиях применения.

Разработка электронных схем с использованием LMG3526R030RQSR от Texas Instruments позволяет создавать устройства с высокой эффективностью и мощностью, что идеально подходит для современных промышленных и потребительских приложений.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК