LMG3522R050RQST
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
LMG3522R050RQST от Texas Instruments
Общее описание
Texas Instruments LMG3522R050RQST - это высокоэффективный силовой транзистор на базе гальюминиевого нитрида (GaN), предназначенный для использования в приложениях средней и высокой мощности. Благодаря инновационной конструкции, этот компонент позволяет достичь высокой частотной производительности и эффективно управлять высокими токами и напряжениями.
Преимущества
- Высокая производительность: Повышенная эффективность и более быстрые коммутационные скорости по сравнению с обычными кремниевыми транзисторами.
- Компактный размер: Обеспечивает уменьшение размеров и массы конечных устройств благодаря высокой плотности мощности.
- Низкие потери: Снижение тепловыделения и потерь в энергосистемах благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии (Rds(on)).
- Высокая надежность: Прочные материалы и усовершенствованная конструкция обеспечивают длительный срок службы.
Недостатки
- Цена: Стоимость выше по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами, что может повышать общую стоимость решения.
- Требования к проектированию: Требуется специальная схема драйвера и комплексная система управления для оптимального использования.
Типовое использование
- Инверторы и преобразователи для силовой электроники.
- Источники питания с высокой плотностью мощности.
- Бесперебойные источники питания (UPS).
- Тяговые приводы для электромобилей.
- Промышленные и авиационные системы.
Рекомендации по применению
- Использование соответствующих драйверов для управления GaN транзисторами.
- Монтаж на печатной плате с учетом эффективного отвода тепла.
- Соблюдение всех требований по электромагнитной совместимости (EMC).
- Проведение тщательных испытаний и верификации для обеспечения надежности и долговечности системы.
Основные технические характеристики
- Тип транзистора: GaN FET
- Максимальное напряжение нагрузки: 650 В
- Максимальный ток: 32 A
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 50 мОм
- Напряжение питания (Vcc): 7.5 В - 18 В
- Мощность при полной загрузке: До 200 Вт и более
- Корпус: 12x12 мм VQFN
- Рабочая температура: От -40°C до +150°C
Возможные аналоги
- TPH3205WSBQA от Transphorm
- EPC2034 от Efficient Power Conversion (EPC)
- GS66504B от GaN Systems
Используя LMG3522R050RQST, вы можете значительно повысить эффективность и производительность ваших силовых систем, при этом уменьшая размеры и вес конечных продуктов.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.
