LMG3522R050RQST

4 682,40 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

LMG3522R050RQST от Texas Instruments

Общее описание

Texas Instruments LMG3522R050RQST - это высокоэффективный силовой транзистор на базе гальюминиевого нитрида (GaN), предназначенный для использования в приложениях средней и высокой мощности. Благодаря инновационной конструкции, этот компонент позволяет достичь высокой частотной производительности и эффективно управлять высокими токами и напряжениями.

Преимущества

  • Высокая производительность: Повышенная эффективность и более быстрые коммутационные скорости по сравнению с обычными кремниевыми транзисторами.
  • Компактный размер: Обеспечивает уменьшение размеров и массы конечных устройств благодаря высокой плотности мощности.
  • Низкие потери: Снижение тепловыделения и потерь в энергосистемах благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии (Rds(on)).
  • Высокая надежность: Прочные материалы и усовершенствованная конструкция обеспечивают длительный срок службы.

Недостатки

  • Цена: Стоимость выше по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами, что может повышать общую стоимость решения.
  • Требования к проектированию: Требуется специальная схема драйвера и комплексная система управления для оптимального использования.

Типовое использование

  • Инверторы и преобразователи для силовой электроники.
  • Источники питания с высокой плотностью мощности.
  • Бесперебойные источники питания (UPS).
  • Тяговые приводы для электромобилей.
  • Промышленные и авиационные системы.

Рекомендации по применению

  • Использование соответствующих драйверов для управления GaN транзисторами.
  • Монтаж на печатной плате с учетом эффективного отвода тепла.
  • Соблюдение всех требований по электромагнитной совместимости (EMC).
  • Проведение тщательных испытаний и верификации для обеспечения надежности и долговечности системы.

Основные технические характеристики

  • Тип транзистора: GaN FET
  • Максимальное напряжение нагрузки: 650 В
  • Максимальный ток: 32 A
  • Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 50 мОм
  • Напряжение питания (Vcc): 7.5 В - 18 В
  • Мощность при полной загрузке: До 200 Вт и более
  • Корпус: 12x12 мм VQFN
  • Рабочая температура: От -40°C до +150°C

Возможные аналоги

  • TPH3205WSBQA от Transphorm
  • EPC2034 от Efficient Power Conversion (EPC)
  • GS66504B от GaN Systems

Используя LMG3522R050RQST, вы можете значительно повысить эффективность и производительность ваших силовых систем, при этом уменьшая размеры и вес конечных продуктов.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК