LMG3522R050RQSR

Описание LMG3522R050RQSR от Texas Instruments

Модель LMG3522R050RQSR от Texas Instruments представляет собой 650-вольтовый GaN FET (транзистор на основе нитрида галлия) с интегрированными функциями. Этот компонент предлагает превосходные характеристики по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET, обеспечивая высокую эффективность, меньшие размеры и лучшую теплопроводность.

Основные преимущества:

• Высокая эффективность: Низкие потери на переключение и проводимость.
• Компактный размер: Возможность миниатюризации схем.
• Повышенная теплопроводность: Улучшенная работа при высоких температурах.
• Высокая скорость переключения: Улучшает производительность системы и уменьшает энергопотребление.

Недостатки:

• Стоимость: Более высокая стоимость по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами.
• Чувствительность к условиям эксплуатации: Требует более тщательного контроля условий эксплуатации и защиты.

Типовое использование:

• Инверторы для фотоэлектрических систем.
• Силовые преобразователи в электромобилях.
• Блоки питания для серверов и центров обработки данных.
• Преобразователи энергии в энергетических системах.

Рекомендации по применению:

• Используйте в системах, где требуется высокая эффективность и компактность.
• Обеспечьте подходящие условия охлаждения для предотвращения перегрева.
• Внимательно следите за параметрами напряжения и тока, чтобы предотвратить повреждения.

Основные технические характеристики:

• Напряжение нагрузки (Vds): 650V
• Ток выхода (макс): 32A
• Rds(on) (типичное): 50 мОм
• Входное напряжение (Vcc): 7.5V - 18V
• Тип выходного сигнала: P-канал
• Температурный диапазон работы: -40°C ~ 150°C (Tj)
• Корпус: 52-VQFN (12x12), посадка на поверхность

Возможные аналоги:

• LMG3410R050 от Texas Instruments.
• EPC2045 от EPC.
• GS66508T от GaN Systems.

LMG3522R050RQSR от Texas Instruments является превосходным выбором для приложений, требующих высокоэффективного управления мощностью и высокой скорости переключения.