LMG3522R030RQSR

LMG3522R030RQSR от Texas Instruments

Общее описание: LMG3522R030RQSR — это высокопроизводительный силовой полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN), разработанный для высокоэффективных коммутирующих приложений. Благодаря своей передовой технологии, этот компонент обеспечивает улучшенные энергетические характеристики и превосходное прерывание нагрузки по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами.

Преимущества:

• Высокая эффективность за счет низких потерь на переключение.
• Меньшие габариты и вес благодаря более высокой плотности мощности.
• Повышенная температурная стабильность и надежность.
• Уменьшенные паразитные индуктивности и емкости, что дает лучшие динамические характеристики.
• Интегрированное управление и защита.

Недостатки:

• Высокая стоимость по сравнению с кремниевыми аналогами.
• Необходимость специального драйвера для управления GaN транзистором.
• Ограниченная доступность на рынке.

Типовое использование:

• Преобразователи постоянного тока (DC-DC конвертеры).
• Инверторы солнечных панелей.
• Приводы электродвигателей.
• Импульсные источники питания.
• Зарядные устройства для электроавтомобилей.

Рекомендации по применению:

• Рекомендуется использовать с совместимыми драйверами для GaN транзисторов.
• Тщательно продумывайте схемные решения для обеспечения стабильного терморежима.
• При проектировании уделите внимание защите от перенапряжения и перегрева.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: GaN FET
• Величина сопротивления (Rds(on)): 30 мОм
• Максимальное напряжение (Vds): 650 В
• Максимальный ток (I_D): 28 А
• Корпус: QFN-12x12
• Диапазон рабочих температур: от -40°C до 150°C
• Паразитная индуктивность: минимальна благодаря конструкции GaN.

Возможные аналоги:

• EPC2010 от Efficient Power Conversion.
• GS66508T от GaN Systems.
• HRL3010 от Infineon Technologies.

Используя LMG3522R030RQSR от Texas Instruments, вы сможете значительно повысить энергетическую эффективность и производительность ваших коммутирующих устройств, снижая при этом размеры и вес конечных решений.