LMG3411R150RWHT

LMG3411R150RWHT от Texas Instruments

Общее описание

LMG3411R150RWHT — это передовой GaN FET с интегрированным драйвером от компании Texas Instruments. Он предназначен для высокоэффективных и компактных силовых преобразователей, идеален для приложений, требующих низких потерь при переключении, низкого уровня радиопомех и высокой плотности мощности.

Преимущества

• Высокая эффективность: Благодаря использованию технологии GaN FET достигается низкий Rds(on) и минимальные потери при переключении.
• Интегрированный драйвер: Обеспечивает упрощенный дизайн и сокращает количество компонентов на плате.
• Высокая скорость переключения: Уменьшает энергопотребление и улучшает тепловыделение.
• Низкий уровень радиопомех (EMI): Обеспечивает более стабильную работу в промышленной и потребительской электронике.

Недостатки

• Относительно высокая стоимость: GaN технологии пока еще дороже традиционных кремниевых решений.
• Требует аккуратного обращения: Компоненты на базе GaN более чувствительны к статическому электричеству и напряжению пробоя.

Типовое использование

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Преобразователи DC-DC
• Инверторы солнечных панелей
• Зарядные устройства для электромобилей
• Индустриальные и автомобильные приложения

Рекомендации по применению

• Рекомендована внимательная разработка схемы печатной платы для минимизации индуктивности и обеспечения оптимального теплоотвода.
• Использование подходящих драйверов токов для обеспечения безопасной и надежной работы.
• Проведение тестирования на уровне системы, чтобы гарантировать совместимость с другими компонентами.

Основные технические характеристики

• Тип ключа: Высокосторонний MOSFET
• Количество выходов: 1
• Максимальное напряжение нагрузки: 480 В
• Максимальный выходной ток: 6 А
• Rds(on) (типичное): 150 мОм
• Напряжение питания (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V
• Температурный диапазон: -40°C ~ 125°C (T_j)
• Размер корпуса: 32-VQFN (8x8 мм)

Возможные аналоги

• LMG3410R070: Сниженный Rds(on) для высокоэффективных приложений.
• LMG5200: Интегрированный GaN драйвер с 80-мОм FET.
• EPC2019: GaN FET с высоким уровнем производительности от компании EPC.

Заключение

LMG3411R150RWHT от Texas Instruments — это идеальный выбор для разработчиков, стремящихся к высокой эффективности и плотности мощности в своих устройствах. С его помощью можно значительно улучшить показатели мощности и надежности в современных силовых электроустройствах.