LMG3411R150RWHR

LMG3411R150RWHR от Texas Instruments

Общее описание

LMG3411R150RWHR - это мощный транзистор на базе технологии галлия (GaN) с интегрированным драйвером и резистором на 150 мОм. Этот компонент предназначен для использования в высокоэффективных системах преобразования энергии. Встроенный драйвер и другие вспомогательные функции делают его отличным выбором для архитектур с минимальными системными потерями.

Преимущества

• Высокая эффективность: Технология GaN значительно снижает потери мощности, улучшая общую производительность.
• Коммунальный драйвер: Встроенный драйвер упрощает проектирование и уменьшает количество компонентов на плате.
• Компактность: Упаковка 32-VQFN (8x8 мм) позволяет экономить пространство на плате.
• Надежность: Встроенные функции защиты обеспечивают стабильную и безопасную работу устройства.

Недостатки

• Стоимость: Компоненты на основе GaN, как правило, дороже по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами.
• Уровень напряжения: Не подходит для систем с напряжением выше 480 В.

Типовое использование

• Преобразователи DC-DC
• Системы управления двигателями
• Инверторы для солнечных панелей
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Бесперебойные источники питания (UPS)

Рекомендации по применению

• Термические характеристики: Убедитесь в наличии достаточного отвода тепла для поддержания оптимальной температуры работы.
• Связь с микроконтроллером: Использование логического интерфейса для управления транзистором позволяет точно контролировать выходную мощность и защищает устройства от перегрузок.
• Заземление: Правильное заземление крайне важно для предотвращения электромагнитных помех и для обеспечения стабильной работы.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: Высоковольтный GaN FET
• Максимальный ток: 6 А
• Максимальное напряжение нагрузки: 480V
• Сопротивление состояния проводимости (Rds On): 150 мОм (типичное)
• Диапазон напряжения питания (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V
• Интерфейс управления: Логика, ШИМ
• Функции защиты: Защита от перегрузки по току, защита от перегрева, защита от пониженного напряжения
• Корпус: 32-VQFN (8x8 мм) с отводом тепла
• Температурный диапазон работы: -40°C ~ 125°C (TJ)

Возможные аналоги

• LMG3410R050RWHR: Аналог с меньшим сопротивлением Rds On (50 мОм), но с аналогичными характеристиками и функциями.
• EPC2019 от EPC: Альтернативный компонент на базе GaN с схожими свойствами.

Эти параметры делают LMG3411R150RWHR идеальным выбором для проектировщиков, нуждающихся в высокоэффективном и компактном решении с отличной производительностью.