LMG3411R050RWHT

7 156,80 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание для LMG3411R050RWHT от Texas Instruments

Общее описание

LMG3411R050RWHT – это интегральный полевой транзистор на основе галлий-нитридной технологии (GaN) с интегрированным драйвером от компании Texas Instruments. Этот компонент предназначен для повышения эффективности и плотности решений силовой электроники. Основное его применение – в высокоэффективных DC-DC и AC-DC преобразователях.

Преимущества

  • Высокая эффективность: благодаря технологии GaN транзистор имеет значительно меньшие потери на переключение и проводимость по сравнению с традиционными кремневыми MOSFET.
  • Интегрированный драйвер: упрощает разработку и снижает количество компонентов на плате.
  • Встроенная защита: защита от перегрева, перенапряжения и избыточного тока увеличивает надежность работы устройства.
  • Компактность: благодаря высокой плотности мощности и миниатюрному корпусу 32-VQFN (8x8), идеально подходит для использования в компактных и портативных устройствах.

Недостатки

  • Стоимость: компоненты на основе GaN могут быть дороже аналогов на основе кремния.
  • Требует аккуратного проектирования: эксплуатационные преимущества GaN технологии требует учитывания специфических требований по охлаждению и импедансу схемы.

Типовое использование

  • Преобразователи DC-DC и AC-DC
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Зарядные устройства для электромобилей
  • Автономные энергосистемы и солнечные инверторы

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте адекватное охлаждение компонента для избежания перегрева.
  • Убедитесь в правильном выборе компонентов обвязки, особенно конденсаторов для фильтрации.
  • Используйте симуляционные инструменты для моделирования работы схемы с учетом специфики GaN транзисторов.

Основные технические характеристики

  • Рабочее напряжение нагрузки: до 480 В
  • Рабочее напряжение питания (Vcc): 9.5 В – 18 В
  • Ток нагрузки (максимальный): 12 А
  • Сопротивление в открытом состоянии (Rds On): 50 мОм
  • Тип драйвера: неинвертирующий
  • Рабочая температура: от -40°C до 125°C (Tj)
  • Защита: от перегрева, перенапряжения и избыточного тока
  • Корпус устройства: 32-VQFN (8x8)

Возможные аналоги

  • LMG3410R070 от Texas Instruments
  • GS61008P от GaN Systems
  • EPC2019 от EPC (Efficient Power Conversion Corporation)

LMG3411R050RWHT является современным решением для высокоэффективных приложений силовой электроники и способен значительно улучшить производительность Ваших устройств.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК