LMG3411R050RWHR от Texas Instruments

Общее описание

LMG3411R050RWHR – это мощный GaN полевой транзистор (FET) с интегрированным драйвером от компании Texas Instruments. Это устройство разработано для работы в высоконадежных и высокоэффективных схемах управления питанием, обеспечивая низкое сопротивление в открытом состоянии и высокую скорость переключения. Высокая производительность GaN технологии позволяет использовать LMG3411R050RWHR в приложениях с высоким КПД и низкими потерями.

Преимущества

• Высокая эффективность: Использование GaN технологии создает меньшие потери на переключение и проводимость.
• Низкое Rds(on): Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 50 мОм, что снижает потери мощности.
• Высокая скорость переключения: Обеспечивает быстрое переключение для приложений, требующих высокой производительности.
• Интегрированный драйвер: Упрощает схемотехническое решение и снижает количество внешних компонентов.
• Защита от перенапряжения и перегрева: Обеспечивает надежность и безопасность в эксплуатации.

Недостатки

• Чувствительность к статическому электричеству: Требуется аккуратное обращение и защита от электростатических разрядов (ESD).
• Высокая стоимость: Стоимость данного компонента выше по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами.

Типовое использование

• Источники питания с высоким КПД
• Инверторы для солнечных панелей
• Зарядные устройства
• Системы преобразования энергии
• Электронные системы управления мотором

Рекомендации по применению

• Убедитесь в наличии подходящих средств защиты от статического электричества при работе с компонентом.
• При проектировании учитывайте возможность теплового рассеивания и предусмотрите соответствующее охлаждение.
• Используйте рекомендованное Texas Instruments напряжение питания для обеспечения максимальной производительности и долговечности устройства.

Основные технические характеристики

• Вид коммутирующего элемента: Высокий ключ
• Количество выходов: 1
• Конфигурация выхода: N-канальный
• Тип интерфейса: Логический, PWM
• Напряжение нагрузки: до 480 В (макс.)
• Напряжение питания (Vcc/Vdd): 9.5 В ~ 18 В
• Максимальный выходной ток: 12 А
• Rds(on) (типичное): 50 мОм
• Температурный диапазон работы: -40°C ~ 125°C
• Защита: От перенапряжения, от перегрева, UVLO (Undervoltage Lockout)
• Корпус: 32-VQFN (8x8)

Возможные аналоги

• TIDA-01425: Это тестовая плата от Texas Instruments, включающая LMG3411R050RWHR, которая может быть полезна при разработке и тестировании ваших собственных схем.
• EPC2204: Полевой транзистор на основе GaN от другой компании, который может быть альтернативным вариантом для сравнения.

Заключение

LMG3411R050RWHR является превосходным выбором для высокоэффективных приложений управления питанием, требующих надежности и высокой производительности. Этот компонент предлагает ряд уникальных преимуществ, обеспечивая при этом необходимую защиту и надежность в эксплуатации.

Если у вас есть дополнительные запросы или вам нужно больше информации, не стесняйтесь спрашивать!