LMG3411EVM-029

64 800,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

LMG3411EVM-029 от Texas Instruments

Общее описание

LMG3411EVM-029 — это демонстрационная плата для оценки возможностей высокоэффективного полумостового драйвера LMG3411R070 от компании Texas Instruments. Она предназначена для разработки и тестирования мощных систем управления, используя преимущества технологии GaN (нитрид галлия). Этот компонент позволяет достичь значительных улучшений в эффективности и плотности мощности благодаря низким потерям на переключение и высокому рабочему напряжению.

Преимущества

  • Высокая эффективность: Низкие потери на переключение и проводимости, благодаря технологии GaN.
  • Компактность: Уменьшение размеров системы благодаря высокой плотности мощности.
  • Простота использования: Легкость интеграции в вашу схему и возможность быстрой оценки характеристик.

Недостатки

  • Стоимость: GaN компоненты могут быть дороже традиционных кремниевых аналогов.
  • Требования к охлаждению: Высокая плотность мощности может потребовать более эффективного управления теплом.

Типовое использование

  • Силовые преобразователи: Преобразователи постоянного тока, источники бесперебойного питания (ИБП).
  • Электромобили: Системы зарядки аккумуляторов и силовые цепи.
  • Промышленные применения: Прецизионное управление моторами, мощные инверторы.

Рекомендации по применению

  • Тестирование и оценка: Используйте LMG3411EVM-029 для оценки характеристик и возможностей драйвера LMG3411R070 в вашем проекте.
  • Комплексные проекты: Учитывайте особенности теплоотведения и подбора радиаторов при интеграции в конечные устройства.
  • Симуляция: Перед физическим тестированием рекомендуется провести симуляцию схемы для оптимизации параметров.

Основные технические характеристики

  • Компонент: LMG3411R070 (GaN FET драйвер)
  • Рабочее напряжение: до 600 В
  • Пиковый ток: до 31 A
  • Частота переключения: до 1 МГц
  • Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 70 мОм
  • Технология: GaN

Возможные аналоги

  • LMG3410R070: Аналогичный GaN FET драйвер от Texas Instruments с похожими характеристиками.
  • EPC2034: GaN FET от Efficient Power Conversion, имеющий схожие параметры и предназначение.
  • GS66508T: GaN транзистор от GaN Systems, предназначенный для подобного использования.

Используйте LMG3411EVM-029 от Texas Instruments для создания высокоэффективных и компактных решений в области силовой электроники. Этот испытательный комплект поможет вам максимально эффективно оценить все возможности драйвера LMG3411R070 и внедрить инновационные подходы в ваши проекты.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК