LMG3410R150RWHT

LMG3410R150RWHT от Texas Instruments

Общее описание

LMG3410R150RWHT – это интегрированный GaN FET для силовых приложений от Texas Instruments. Он предлагает высокую производительность с низким сопротивлением открытого канала (Rds(on)) 150 мОм и способен управлять токами до 6А при напряжении до 480В. Этот компонент идеально подходит для эффективного преобразования мощности в различных приложениях.

Преимущества

• Высокая производительность: GaN технология обеспечивает меньшее тепловыделение и снижение потерь мощности.
• Интегрированные функции защиты: Защита от перенапряжения, перегрузки по току и превышения температуры.
• Простота интеграции: Интерфейс логики и ШИМ облегчают управление.
• Компактность: Упаковка 32-VQFN (8x8) позволяет экономить место на плате.

Недостатки

• Цена: Технология GaN может быть дороже по сравнению с традиционными кремниевыми решениями.
• Чувствительность к монтажу: Сверхкомпактные компоненты требуют аккуратного монтажа и могут быть чувствительны к тепловым напряжениям.

Типовое использование

• Высокочастотные преобразователи.
• Инверторы для солнечных панелей.
• Зарядные устройства для электромобилей.
• Промышленные системы питания.
• Бесперебойные источники питания (UPS).

Рекомендации по применению

• Правильное охлаждение: Учитывайте требования к тепловому режиму и обеспечьте надежное отведение тепла.
• Фильтрация EMI: Для минимизации электромагнитных помех используйте соответствующие схемы фильтрации.
• Аккуратный монтаж: Убедитесь в правильности пайки и монтажа, чтобы избежать повреждений компонентов.

Основные технические характеристики

• Конфигурация выхода: N-канал.
• Тип схемы: Включение нагрузки.
• Напряжение нагрузки: до 480В.
• Напряжение питания (Vcc/Vdd): 9.5В - 18В.
• Максимальный ток выхода: 6А.
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 150 мОм.
• Температурный диапазон эксплуатации: -40°C до 125°C (TJ).
• Защита от отказов: Защита от перегрузки по току, перегрева, UVLO.
• Тип монтажа: Поверхностный.
• Корпус: 32-VQFN (8x8).

Возможные аналоги

• EPC2204 от EPC: интегрированный GaN FET с похожими параметрами.
• GS66508T от GaN Systems: высокоэффективный GaN FET для силовых приложений.

Эти характеристики и рекомендации помогут вам понять преимущества и возможности применения LMG3410R150RWHT от Texas Instruments в различных силовых и промышленных приложениях.