LMG3410R050RWHR

ВКЛЮЧИТЕЛЬ ПОТРЕБЛЕНИЯ LMG3410R050RWHR ОТ TEXAS INSTRUMENTS

Общее Описание

LMG3410R050RWHR от Texas Instruments представляет собой мощный интегральный переключатель (FET) на основе высокопроизводительных GaN транзисторов. Этот компонент комбинирует FET и драйвер в одном корпусе, что сокращает количество необходимых внешних компонентов и улучшает общую эффективность системы. Основное применение данного устройства — управление высоковольтными и высокочастотными режимами работы, что идеально подходит для энергетических приложений и электроприборов.

Преимущества

• Высокая эффективность: GaN технологии обеспечивают минимальные потери энергии, что приводит к улучшенной эффективности работы.
• Компактный размер: Компонент сочетает мощный GaN FET и драйвер в одном корпусе, что экономит место на печатной плате.
• Защита от неисправностей: Встроенные функции защиты, включая защиту от перенапряжения (UVLO), перегрева и избыточного тока.
• Быстрый переключатель: Высокая частота переключения, что уменьшает размер и стоимость пассивных компонентов.

Недостатки

• Стоимость: GaN компоненты обычно дороже по сравнению с традиционными кремниевыми аналогами.
• Требования к радиатору: Необходимость в хорошем термическом управлении при высоких нагрузках.

Типовое Использование

• Инверторы и силовые преобразователи
• Усилители мощности
• Зарядные станции для электромобилей
• Системы управления электропитанием

Рекомендации по Применению

• Используйте рекомендованные параметры рабочего напряжения и тока для увеличения срока службы устройства.
• Обеспечьте адекватное охлаждение для оптимизированной работы.
• Подходит для применения в схемах с высокой плотностью монтажа благодаря своим компактным размерам.

Основные Технические Характеристики

• Тип переключателя: Высоковольтный FET на основе GaN
• Число выходов: 1
• Конфигурация выхода: Высокая сторона
• Максимальный ток выдачи: 12A
• Максимальное напряжение нагрузки: 480V
• Рабочее напряжение источника питания: 9.5V ~ 18V
• Типичный Rds(on): 50 мОм
• Рабочая температура: от -40°C до +125°C
• Корпус: 32-VQFN (8x8)

Возможные Аналоги

• LMG3411R070 от Texas Instruments — для приложений с более строгими требованиями по Rds(on)
• EPC2016 от Efficient Power Conversion (EPC) — альтернативный GaN FET для высокочастотных приложений
• GS61004B от GaN Systems — другой GaN переключатель с аналогичными характеристиками

Примечание: Всегда следуйте технической документации и рекомендациям производителя для обеспечения оптимальной работы и долгого срока службы компонентов.