LMG2610RRGT

Описание для LMG2610RRGT от Texas Instruments

Общее описание

LMG2610RRGT — это 650-В интегрированный половинный мост на основе нитрида галлия (GaN) от компании Texas Instruments. Компонент предназначен для использования в активных обратных преобразователях с зажимом (Active-Clamp Flyback, ACF) и обладает встроенным драйвером, защитой и функцией измерения тока.

Преимущества

• Высокая эффективность: Благодаря использованию технологии GaN, компонент позволяет значительно повысить эффективность преобразования энергии.
• Интеграция функций: Встроенный драйвер и защита упрощают разработку и снижают количество необходимых внешних компонентов.
• Компактность: В корпусе VQFN размерами 6x6 мм размещены все необходимые для работы компоненты.

Недостатки

• Высокая цена: Технология GaN дороже по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.
• Требует хорошего теплоотвода: Из-за высокой плотности мощности необходимо обеспечить хороший отвод тепла.

Типовое использование

• Активные обратные преобразователи (ACF)
• Инверторы и источники бесперебойного питания (ИБП)
• Высокочастотные DC-DC преобразователи
• Быстрозарядные устройства для портативной электроники

Рекомендации по применению

• Используйте термоинтерфейсные материалы для улучшения теплоотвода.
• Обратите внимание на рекомендации по разводке печатной платы для минимизации паразитных индуктивностей и улучшения электрических характеристик.
• Ознакомьтесь с описанием интегрированных защитных функций и протестируйте их в своей системе.

Основные технические характеристики

• Максимальное напряжение: 650 В
• Сопротивление включенного состояния (Rds(on)): 170 мОм / 248 мОм
• Корпус: VQFN с 40 выводами (6x6 мм)
• Интегрированные функции защиты: Защита от перенапряжения, перегрева и перегрузки по току
• Температурный диапазон: от -40°C до 125°C

Возможные аналоги

• EPC2111 от EPC: 100-В GaN FET Half-Bridge с драйвером
• GS66504B от GaN Systems: 650-В GaN FET с низким сопротивлением включенного состояния

Используя LMG2610RRGT в своих разработках, вы сможете создать более эффективные и компактные преобразователи, что позволит улучшить качество и надежность конечных устройств.