KITLGPWRBOM009TOBO1
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
KITLGPWRBOM009TOBO1 от Infineon
Общее описание
KITLGPWRBOM009TOBO1 — это демонстрационный и оценочный набор от Infineon Technologies, разработанный для оценки производительности мощных MOSFET-транзисторов OptiMOS™. В комплект входит IPB117N20NFD, обладающий низким сопротивлением и высокой допустимой мощностью, что делает его идеальным решением для управления мощностью в различных приложениях.
Преимущества
- Высокая эффективность: Низкое сопротивление сток-исток (RDS(on)) обеспечивает минимальные потери энергии.
- Удобство использования: Комплектная плата облегчает тестирование и демонстрацию возможностей компонента.
- Надежность и долговечность: Высокая допустимая мощность и качественные материалы.
Недостатки
- Ограниченная функциональность: Набор ориентирован на демонстрацию специфичного MOSFET-транзистора, что может ограничить его применение в других задачах.
- Не подходит для новичков: Для эффективного использования необходимы базовые знания в области электроники.
Типовое использование
- Силовые преобразователи
- Системы управления двигателями
- Преобразователи постоянного тока
- Системы управления батареями
Рекомендации по применению
- Используйте набор для разработки и тестирования высокоэффективных силовых схем.
- Проверьте характеристики транзистора IPB117N20NFD под различными условиями нагрузки.
- Убедитесь в правильности подключения и соблюдайте меры безопасности при работе с электрическими схемами.
Основные технические характеристики
- Компонент: IPB117N20NFD
- Тип транзистора: MOSFET
- Пороговое напряжение (VGS(th)): 2.0V
- Макс. напряжение сток-исток (Vds): 200V
- Макс. ток стокового состояния (Id): 100A
- Сопротивление сток-исток (RDS(on)): 2.1 mΩ
Возможные аналоги
- IRF540N (International Rectifier)
- STP55NF06 (STMicroelectronics)
- NTMFS014N (ON Semiconductor)
Используя набор KITLGPWRBOM009TOBO1 от Infineon, вы получите возможность глубоко изучить поведение высокопроизводительных MOSFET-транзисторов в различных условиях, что очень важно для разработки мощных и эффективных электронных систем.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.