IPZ65R019C7XKSA1

5 280,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

IPZ65R019C7XKSA1 от Infineon

Общее описание

IPZ65R019C7XKSA1 — это высоковольтный полевой транзистор (MOSFET) с N-каналом на 650 В от Infineon, выполненный по технологии CoolMOS™ C7. Этот транзистор предназначен для использования в приложениях, требующих высокой эффективности и надежности.

Преимущества

  • Высокая эффективность: Низкое сопротивление открытого состояния (Rds(on)) и малые потери при переключении.
  • Низкий заряд затвора (Qg): Обеспечивает высокую скорость переключения, снижая потери мощности при переключении.
  • Повышенная надежность: Широкий температурный диапазон и высокая устойчивость к пробою.

Недостатки

  • Стоимость: Более высокая по сравнению с аналогами, использующими более старые технологии.
  • Чувствительность к электростатике: Требует осторожного обращения для предотвращения повреждений от электростатических разрядов.

Типовое использование

  • Резонансные преобразователи: Используется в LLC и PFC топологиях благодаря низким потерям на переключение и высокому КПД.
  • Блоки питания: Идеальный выбор для серверных и телекоммуникационных блоков питания.
  • Солнечные инверторы: Высокая эффективность при преобразовании энергии.

Рекомендации по применению

  • Теплоотвод: Обеспечьте адекватное охлаждение, установив транзистор на радиатор или используя активное охлаждение.
  • Защита от электростатики: Используйте антистатические меры при работе с компонентом.
  • Оптимизация драйвера затвора: Подберите оптимальные параметры драйвера затвора для минимизации потерь на переключение.

Основные технические характеристики

  • Тип транзистора: N-канальный MOSFET
  • Напряжение сток-исток (Vdss): 650 В
  • Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 75 А
  • Сопротивление открытого состояния (Rds(on)): 19 мОм при 10 В
  • Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В
  • Заряд затвора (Qg): 215 нК при 10 В
  • Температурный диапазон: от -55°C до 150°C
  • Тип монтажа: Сквозное отверстие
  • Корпус: PG-TO247-4

Возможные аналоги

  • STW88N65M5 от STMicroelectronics
  • IRLZ44N от International Rectifier
  • TK40J60W от Toshiba

Этот компонент обеспечивает высокий уровень производительности и надежности для различных высоковольтных приложений, делая его отличным выбором для профессионалов в области электроники и электротехники.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК