IPZ60R017C7XKSA1

IPZ60R017C7XKSA1 от Infineon

Общее описание

IPZ60R017C7XKSA1 - это мощный полевой транзистор (MOSFET) с N-каналом, предназначенный для работы с напряжением до 600 В и выдерживающий постоянный ток до 109 А при температуре корпуса 25°C. Поставляется в корпусе PG-TO247-4, что обеспечивает надежное крепление и отличное тепловыведение.

Преимущества

• Высокая эффективность: Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) всего 17 мОм, что уменьшает потери мощности и тепловыделение.
• Высокая пропускная способность: Максимальный непрерывный ток до 109 А обеспечивает широкий спектр применения в цепях с высокими токами.
• Надежная работа при высоких напряжениях: Выдерживает напряжение до 600 В, что делает его подходящим для применения в устройствах, требующих высокой надежности и безопасности.

Недостатки

• Компоненты требуют правильного охлаждения: Высокая мощность требует эффективного охлаждения для избегания перегрева и выхода из строя.
• Сложность монтажа: Корпус PG-TO247-4 предназначен для сквозного монтажа, что может потребовать дополнительных усилий при установке на печатную плату.

Типовое использование

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Силовые инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электродвигатели и системы управления ними
• Промышленные и бытовые приборы

Рекомендации по применению

• Теплоотвод: Обеспечьте адекватное охлаждение с использованием радиаторов или активного охлаждения для эффективного отвода тепла.
• Правильное питание: Используйте подходящие драйверы затвора для обеспечения правильного управления транзистором.
• Защита от перенапряжений: Применяйте схемы защиты от скачков напряжения (например, варисторы), чтобы избежать повреждений полевого транзистора.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600 В
• Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 109 А (Tc)
• Сопротивление канала (Rds(on)): 17 мОм при 58.2 А и 10 В
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): Максимум 4 В при 2.91 мA
• Заряд затвора (Qg): Максимум 240 нК при 10 В
• Максимальное напряжение затвора (Vgs): ±20 В
• Максимальная рассеиваемая мощность: 446 Вт (Tc)
• Диапазон рабочих температур: -55°C до 150°C (Tj)
• Корпус: PG-TO247-4
• Монтаж: Сквозной монтаж

Возможные аналоги

• STMicroelectronics STW26NM60N
• ON Semiconductor FDPF18N50
• Vishay Siliconix SiHG47N60E-GE3

Использование IPZ60R017C7XKSA1 от Infineon обеспечивает высокую производительность и надежность для различных силовых применений.