IPW65R022CFD7AXKSA1

Infineon IPW65R022CFD7AXKSA1

Общее описание

IPW65R022CFD7AXKSA1 — это мощный MOSFET транзистор компании Infineon, относящийся к серии CoolMOS™ CFD7. Этот компонент обеспечивает высокую производительность и надежность в различных приложениях. Его основной функцией является управление высоким напряжением и током, делая его идеальным для использования в силовых преобразователях и других мощных электронных устройствах.

Преимущества

• Высокая эффективность: Низкое сопротивление Rds(on) (22 мОм), что снижает теплопотери и увеличивает общий КПД схемы.
• Высокое напряжение пробоя: Способен выдерживать до 650 В, что позволяет эффективно работать в высоковольтных приложениях.
• Большой ток: Способен пропускать до 96А (Tc), что делает его подходящим для мощных нагрузок.
• Надежность: Надежная конструкция и высокие эксплуатационные характеристики делают его устойчивым к различным условиям эксплуатации.

Недостатки

• Высокая стоимость: Мощные и высокоэффективные компоненты, такие как IPW65R022CFD7AXKSA1, могут иметь более высокую цену.
• Требует эффективного охлаждения: В условиях высоких токов необходима адекватная система охлаждения для предотвращения перегрева.

Типовое использование

• Импульсные источники питания (свичинг)
• Блоки питания для серверов и коммуникационного оборудования
• Преобразователи мощности
• Преобразователи переменного тока в постоянный (AC-DC)
• Системы управления мотором

Рекомендации по применению

• Для достижения максимальной производительности используйте эффективные методы охлаждения, такие как радиаторы или активное охлаждение.
• Следует проводить тщательный анализ теплового дизайна для предотвращения перегрева и продления срока службы компонента.
• Рекомендуется учитывать импульсные нагрузки и характеристики переключения при проектировании схемы.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный
• Технология: MOSFET (металлооксидный полупроводник)
• Напряжение исток-сток (Vdss): 650 В
• Постоянный ток сток (Id) при 25°C: 96А (Tc)
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on) при Id, Vgs): 22 мОм @ 58.2A, 10В
• Заряд затвора (Qg) при Vgs: 234 нКл @ 10В
• Емкость входа (Ciss): 11,659 пФ @ 400В
• Максимальная мощность рассеивания: 446 Вт (Tc)
• Тип корпуса: PG-TO247-3
• Рабочая температура (Tj): от -40°C до 150°C

Возможные аналоги

• STMicroelectronics STW62N65DM2: N-канальный MOSFET, 650В, 62А, в корпусе TO-247.
• ON Semiconductor NGD8205BNT4G: N-канальный MOSFET, 650В, 80А, в корпусе TO-247.
• Vishay SiHG30N65E-GE3: N-канальный MOSFET, 650В, 78А, в корпусе TO-247.

Заключение

IPW65R022CFD7AXKSA1 является высокоэффективным и надежным MOSFET транзистором от Infineon Technologies, идеально подходящим для использования в мощных и высоковольтных приложениях. Благодаря его высоким техническим характеристикам и производительности, этот компонент является отличным выбором для различных схем преобразования и управления энергией.