IPDQ60R010S7XTMA1
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Информация по компоненту - IPDQ60R010S7XTMA1
Производитель: Infineon Technologies
Общее описание
IPDQ60R010S7XTMA1 - это высокоэффективный N-канальный MOSFET транзистор серии CoolMOS™ 7, предназначенный для использования в различных приложениях с высокой мощностью и напряжением. Основное преимущество данного компонента - его оптимизированная производительность при высоких напряжениях и низких потерях энергии.
Преимущества
- Высокое напряжение: Отличается высокой стабильностью и надежностью при напряжении до 600 В.
- Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 10 мОм, что позволяет минимизировать потери энергии.
- Высокая допустимая сила тока: До 50 А, что делает его идеальным для использования в мощных приложениях.
- Уменьшенное тепловыделение: Благодаря низкому Rds(on) и улучшенной теплопроводности, данный транзистор выделяет меньше тепла.
- Широкий температурный диапазон: Работает в диапазоне от -55°C до +150°C.
Недостатки
- Требовательность к качеству монтажа: При поверхностном монтаже необходимо обеспечивать хорошее тепловое отведение.
- Высокое значение Gate Charge: Может потребоваться мощный драйвер для управления, что усложняет схему управления.
Типовое использование
- Блоки питания высокой мощности
- Потребительская электроника
- Серверы и телекоммуникационные устройства
- Промышленные инверторы и преобразователи
- Системы распределения энергии
Рекомендации по применению
- Обеспечение качественного охлаждения для минимизации тепловых потерь.
- Использование мощных драйверов для управления затвором.
- Внимательное проектирование печатной платы для обеспечения надежного монтажа и эффективного отвода тепла.
Основные технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 600 В
- Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 50 А
- Сопротивление канала (Rds(on)): 10 мОм
- Напряжение управления затвором (Vgs): до ±20 В
- Заряд затвора (Qg) при Vgs=12 В: 318 нК
- Максимально рассеиваемая мощность (Ptot): 694 Вт
- Тип корпуса: PG-HDSOP-22-1
- Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C
Возможные аналоги
- IPD60R010S7S от Infineon
- IPP60R010P7XKSA1 от Infineon
- IRL60S216 от International Rectifier
Заключение
IPDQ60R010S7XTMA1 - это мощный и надежный компонент для использования в высоковольтных приложениях. Благодаря своим техническим характеристикам и преимуществам, он может существенно улучшить производительность и надежность вашего устройства.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.