IMZA75R016M1HXKSA1

IMZA75R016M1HXKSA1 от Infineon

Общее описание

IMZA75R016M1HXKSA1 - это мощный N-канальный MOSFET на основе карбида кремния (SiC) от компании Infineon Technologies. Этот транзистор предназначен для высокоэффективных приложений, требующих высоких напряжений и токов. Благодаря использованию технологии SiC, он обеспечивает более высокую эффективность и сниженную теплораздачу по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFETами.

Преимущества

• Высокая эффективность: Технология SiC обеспечивает меньшие потери и высокую плотность мощности.
• Повышенная надежность: Выдерживает высокие температуры эксплуатации, до 175°C.
• Снижение тепловых потерь: Меньшие паразитные емкости и быстрые времена переключения.
• Высокое рабочее напряжение: Максимальное напряжение исток-сток (Vds) составляет 750 В.

Недостатки

• Стоимость: Продукты на основе SiC обычно стоят дороже аналогов на основе традиционного кремния.
• Управление: Требуют специфического управления и могут быть сложнее в интеграции.

Типовое использование

• Инверторы: Для фотоэлектрических установок, ветрогенераторов и других возобновляемых источников энергии.
• Преобразователи: Высоковольтные DC-DC, AC-DC преобразователи.
• Силовая электроника: Моторные приводы, источники питания, UPS системы.

Рекомендации по применению

• Правильное охлаждение: Для оптимальной работы важно обеспечить надлежащее охлаждение, использовать радиаторы и термопасты.
• Соответствующая схема драйвера: Обеспечьте управление затвором с достаточным напряжением и скоростью переключения.
• Совместимость: Убедитесь, что схема не превышает максимально допустимые параметры напряжения и тока устройства.

Основные технические характеристики

• Тип: N-канальный MOSFET
• Технология: SiC (карбид кремния)
• Максимальное напряжение исток-сток (Vds): 750 В
• Непрерывный ток истока (Id) при 25°C: 89A (Tj)
• Сопротивление открытого канала (Rds On): 15 мОм при Id 41.5A, Vgs 20V
• Заряд затвора (Qg): 81 нК при Vgs 18V
• Максимальная мощность (Pd): 319В (Tc)
• Корпус: TO-247-4
• Рабочая температура: от -55°C до +175°C (Tj)

Возможные аналоги

• C2M0080170D от Cree Wolfspeed
• SCT3030KL от Rohm Semiconductor
• STPSC20H12CWY от STMicroelectronics

IMZA75R016M1HXKSA1 от Infineon представляет собой высокоэффективное решение для различных силовых приложений, требующих надежности и эффективности. Следуя рекомендациям по применению, можно добиться оптимальной производительности и долговечности устройства.