IMZA120R007M1HXKSA1

IMZA120R007M1HXKSA1 от Infineon

Общее описание

IMZA120R007M1HXKSA1 — это современный силовой MOSFET транзистор с островным переходом. Он выполнен в корпусе TO-247-3 и предназначен для работы при высоких напряжениях и токах, что делает его идеальным для широкого спектра промышленных и энергетических приложений. Этот MOSFET имеет низкое сопротивление между стоком и истоком (Rds(on)) и высокую скорость переключения, что обеспечивает повышение эффективности и снижение потерь.

Преимущества

• Высокая эффективность благодаря низкому Rds(on).
• Высокая скорость переключения для снижения потерь при коммутации.
• Широкий диапазон рабочих температур, что делает его подходящим для жестких условий эксплуатации.
• Высокая плотность мощности благодаря компактному корпусу и высокой допустимой мощности рассеяния.

Недостатки

• Относительно высокое управляемое напряжение (Vgs) требует наличия соответствующего драйвера для надежной работы.
• Требует дополнительных мер предосторожности для защиты от перегрева, особенно при работе в динамичных режимах.

Типовое использование

• Инверторы для солнечных панелей
• Электрические транспортные средства (EV) и зарядные устройства
• Переключаемые источники питания (SMPS)
• Прочные промышленные источники питания
• Приводы постоянного тока
• Устройства управления двигателями

Технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный
• Технология: SiC (карборунд, окись кремния)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
• Непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 120 A
• Максимальное сопротивление (Rds(on)) при Id, Vgs: 7 мОм @ 60 A, 18 V
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 V
• Максимальное падение напряжения между затвором и истоком (Vgs(th)): 3-6 В
• Зарядка затвора (Qg): 320 нК при 18 В
• Емкость входа (Ciss): 13900 пФ при 800 В
• Мощность рассеивания (Pd): 433 Вт (Tc)
• Рабочая температура (Tj): -55°C ~ 175°C
• Корпус устройства: TO-247-3

Аналоги

• Wolfspeed C3M0120100J - аналогичный SiC MOSFET с напряжением 1200 В и текущим рейтингом.
• Rohm SCT3120AL - SiC MOSFET с напряжением 1200 В и похожими характеристиками.

Рекомендации по применению

• Для достижения максимальной эффективности рекомендуется использовать специализированные драйверы затвора, предназначенные для управления SiC MOSFET.
• Обратите внимание на необходимость теплового управления, учитывая высокую мощность рассеяния.
• Используйте фильтрацию и защитные схемы для обеспечения надежной работы устройства и предотвращения повреждений от переходных процессов.

IMZA120R007M1HXKSA1 от Infineon представляет собой высококачественный и надежный выбор для приложений, требующих высокой плотности мощности и эффективности.