Infineon IMYH200R075M1HXKSA1

Общее описание

Infineon IMYH200R075M1HXKSA1 — это мощный n-канальный транзистор на базе технологии SiC (карбид кремния). Он характеризуется высоким напряжением пробоя 2000 В и обеспечивает непрерывный ток до 34 А при температуре корпуса. Это устройство предлагает низкое сопротивление сток-исток (Rds(on)) и отличается высокой устойчивостью к термическим и электрическим перегрузкам, что делает его идеальным для применения в мощных преобразователях и инверторах.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя: 2000 В, что позволяет использовать транзистор в высоковольтных приложениях.
• Низкое сопротивление сток-исток: Максимум 75 мОм при 13 А и 18 В.
• Высокая термостойкость: Рабочая температура от -55°C до 175°C.
• Энергетическая эффективность: Меньшая утечка тока и высокое коэффициент преобразования энергии.

Недостатки

• Стоимость: Высокотехнологичные SiC транзисторы часто дороже традиционных кремниевых аналогов.
• Требует тщательно продуманного охлаждения: Несмотря на высокую термостойкость, тепловыделение все равно может быть значительным при высоких нагрузках.

Типовое использование

• Преобразователи мощности и инверторы: Высокая эффективность и термостойкость делают этот транзистор идеальным для использования в мощных преобразователях и инверторах.
• Зарядные устройства для электромобилей: Высокое напряжение и низкие потери мощности.
• Промышленные источники питания: Высокая надежность и эффективность.

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Обеспечьте эффективное охлаждение при высоких токовых и тепловых нагрузках.
• Использование драйверов: Для управления транзистором рекомендуется использовать специальные драйверы, чтобы максимально реализовать его потенциал.

Основные технические характеристики

• Тип FET: N-Channel
• Технология: SiC (карбид кремния)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 2000 В
• Непрерывный ток на сток (Id) при 25°C: 34 А (Tc)
• Напряжение управления (Vgs): 15В, 18В
• Сопротивление сток-исток (Rds(on)) макс. при Id, Vgs: 75 мОм при 13А, 18В
• Пороговое напряжение (Vgs(th)) макс. при Id: 5.5В при 7.7 мА
• Заряд затвора (Qg) макс. при Vgs: 64 нК при 18 В
• Макс. напряжение Vgs: +20В, -7В
• Рассеиваемая мощность (макс.): 267Вт (Tc)
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (Tj)
• Тип монтажа: Сквозное отверстие
• Корпус устройства поставщика: PG-TO247-4-U04
• Корпус: TO-247-4

Возможные аналоги

• C3M0075120D от Wolfspeed: аналогичный по напряжению и току MOSFET на базе карбида кремния.
• STW45N65M5 от STMicroelectronics: MOSFET с аналогичными характеристиками, но на базе кремния.

Использование карбид-кремниевых транзисторов, таких как Infineon IMYH200R075M1HXKSA1, предоставляет значительные преимущества в мощных и высокоэффективных электронных устройствах.