IMYH200R050M1HXKSA1

МОП-транзистор IMYH200R050M1HXKSA1 от Infineon

Общее описание

IMYH200R050M1HXKSA1 — это N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с использованием карбида кремния (SiC) от компании Infineon Technologies. Данный МОП-транзистор обеспечивает выдающуюся производительность благодаря высокому напряжению между истоком и стоком (Vdss) 2000 В и постоянному току стока (Id) 48 А.

Преимущества

• Высокая эффективность: Благодаря использованию технологии карбида кремния (SiC) транзистор обеспечивают значительное снижение потерь.
• Повышенная надежность: Рабочий диапазон температур -55°C ~ 175°C, что позволяет использовать транзистор в тяжелых условиях эксплуатации.
• Большая мощность рассеяния: Поглощение тепла до 348 Вт улучшает эксплуатационные характеристики.
• Низкое сопротивление: Rds(on) достигает всего 50 мОм, что снижает энергетические потери.

Недостатки

• Высокая стоимость: Компоненты на основе SiC обычно дороже аналогов на кремнии из-за сложности производства.
• Сложность в обработке: Для работы с такими компонентов требуется специализированное оборудование и знание специфики SiC.

Типовое использование

• Высоковольтные источники питания
• Автомобильная электроника
• Инверторы для солнечных панелей
• Промышленные блоки питания и накопители энергии
• Авиакосмическое и военное оборудование

Рекомендации по применению

• Рекомендуется использовать теплоотвод для эффективного рассеивания тепла.
• Проверяйте и соблюдайте ограничения по максимальному напряжению и току.
• Учтите необходимость высоковольтных компонентов и изоляции.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный
• Технология: Карбид кремния (SiC)
• Максимальное напряжение исток-сток (Vdss): 2000 В
• Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 48 А
• Максимальное сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 50 мОм
• Максимальный заряд затвора (Qg): 82 нКл при 18 В
• Максимальная температура эксплуатации: -55°C до +175°C
• Монтаж: В сквозное отверстие
• Корпус: PG-TO247-4

Возможные аналоги

• C2M1000170D - от Wolfspeed
• SCT2450KE - от ROHM Semiconductor
• STPSC20H12C - от STMicroelectronics

Заключение

МОП-транзистор IMYH200R050M1HXKSA1 от Infineon превосходно подходит для применения в высоковольтных и высокочастотных цепях, обеспечивая эффективное решение для мощных преобразователей энергии, промышленных сетей и автомобильных систем.