IMYH200R024M1HXKSA1

15 600,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

IMYH200R024M1HXKSA1 – N-канальный SiC MOSFET

Общее Описание

IMYH200R024M1HXKSA1 – это N-канальный MOSFET транзистор на основе карбида кремния (SiC) производства Infineon Technologies. Обладая мощными характеристиками, такими как напряжение сток-исток до 1200 В и ток прохода 120 А при 25°C, этот компонент идеально подходит для применения в высокомощных и высокоэффективных системах.

Преимущества

  • Высокая энергия и эффективность: Благодаря использованию технологии SiC, транзистор обеспечивает низкие потери энергии и высокий КПД.
  • Высокое напряжение блокировки: Максимальное напряжение сток-исток 1200 В позволяет использовать компонент в устройствах с высоким рабочим напряжением.
  • Высокая устойчивость к температуре: Широкий диапазон рабочих температур от -55°C до 175°C позволяет использовать транзистор в экстремальных условиях.

Недостатки

  • Стоимость: MOSFET на основе карбида кремния обычно имеют более высокую стоимость по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.
  • Необходимость специализированного драйвера: Для работы с SiC MOSFET могут потребоваться специализированные драйверы.

Типовое Использование

  • Преобразователи мощности
  • Тяговые инверторы
  • Инверторы для солнечных панелей и ветроэнергетики
  • Системы управления двигателем
  • Высокочастотные источники питания

Рекомендации по Применению

  • Тщательное охлаждение: Рекомендуется использовать адекватное охлаждение для обеспечения надежной работы.
  • Правильный драйвер: Убедитесь в использовании драйвера совместимого с SiC MOSFET для достижения оптимальной производительности.
  • Проверьте параметры: Обязательно проверьте условия использования на соответствие с техническими характеристиками компонента.

Основные Технические Характеристики

Характеристика Значение
Тип транзистора N-канальный SiC MOSFET
Напряжение сток-исток 1200 В
Постоянный ток стока 120 А при 25°C
Сопротивление Rds(on) 24 мОм @ 18 В
Заряд затвора (Qg) 155 нК при 18 В
Напряжение затвор-исток (Vgs) +20 В, -5 В
Максимальная рассеиваемая мощность 556 Вт (Tc)
Рабочая температура От -55°C до 175°C
Тип корпуса PG-TO247-4-U04

Возможные Аналоги

  • C3M0075120K от Cree/Wolfspeed
  • SCT3080KL от ROHM Semiconductor
  • FFSP3065A от Fairchild Semiconductor

Используя IMYH200R024M1HXKSA1, вы можете значительно повысить эффективность и надежность своих высокомощностных приложений, сохраняя при этом компактность и устойчивость к высоким температурам.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК