IMYH200R012M1HXKSA1

MOSFET IMYH200R012M1HXKSA1 от Infineon

Общее описание:

IMYH200R012M1HXKSA1 – это SiC (карбид кремния) MOSFET от компании Infineon Technologies. Этот высоковольтный транзистор предназначен для применения в системах с высокими требованиями по мощности и эффективности. Он обеспечивает низкие потери при переключении и высокую тепловую стабильность.

Преимущества:

• Высокое напряжение пробоя (до 2000 V), что позволяет использовать транзистор в высоковольтных приложениях.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds On) – всего 12 мОм, что способствует уменьшению потерь мощности.
• Высокий диэлектрический пробой и устойчивость к экстремальным условиям эксплуатации благодаря технологии SiC.
• Высокая тепловая стабильность, что обеспечивает надежную работу при высоких температурах.

Недостатки:

• Общая стоимость SiC транзисторов может быть выше по сравнению с обычными кремниевыми MOSFET.
• Необходимость в управлении гейтом при более высоких напряжениях, что требует специальных драйверов гейта.

Типовое использование:

• Инверторы для солнечных панелей
• Блоки питания с высоким КПД
• Электрические и гибридные транспортные средства (EV/HEV)
• Высоковольтные преобразователи и инверторы
• Промышленные и бытовые системы отопления, вентиляции и кондиционирования (HVAC)

Рекомендации по применению:

• Обеспечить необходимое охлаждение для управления тепловыми характеристиками.
• Использовать соответствующие драйверы гейта для оптимальной работы при высоких напряжениях управления.
• Конструировать схемы с учетом высокого напряжения пробоя и рабочих температур транзистора.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный SiC MOSFET
• Напряжение сток-исток (Vds): 2000 V
• Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 48 A (Tc)
• Максимальное сопротивление в открытом состоянии (Rds On) при Id = 48 A, Vgs = 18 V: 12 мОм
• Пороговое напряжение (Vgs(th)): 4.5 В (48 мА)
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 552 W (Tc)
• Рабочая температура: от -55°C до 175°C (Tj)
• Корпус: TO-247-4

Возможные аналоги:

• C3M0120100K от Cree (Wolfspeed)
• SCT3160KL от Rohm Semiconductor
• AON6514 от Alpha & Omega Semiconductor

Этот компонент идеально подходит для приложений, где требуется высокая мощность и эффективность преобразования энергии.