IMW120R020M1HXKSA1

Описание компонента IMW120R020M1HXKSA1 от Infineon

Общее описание

IMW120R020M1HXKSA1 — это мощный транзистор MOSFET с каналом N, изготовленный по технологии SiC (карбид кремния), который работает при напряжении до 1200 В и способен пропускать ток до 33 Ампер. Этот компонент идеально подходит для применения в высокоэффективных силовых системах, обеспечивая низкие потери энергии и надежную работу при экстремальных условиях.

Преимущества

• Высокая эффективность: Низкое сопротивление Rds(on) уменьшает потери на проводимость.
• Высокое рабочее напряжение: 1200 В позволяет использовать MOSFET в приложениях с высоким напряжением.
• Компактный корпус: PG-TIM247-4 позволяет экономить место на печатной плате.
• Работа при высоких температурах: Максимальная температура работы до 175°C.

Недостатки

• Стоимость: Технология SiC (карбид кремния) может быть дороже по сравнению с традиционными MOSFET, выполненными из кремния.
• Специфические требования к охлаждению: Необходимость в качественном теплоотводе для работы при максимальных токах и напряжениях.

Типовое использование

• Преобразователи мощности: Используется в инверторах для солнечных панелей, в промышленных приводах и источниках бесперебойного питания (ИБП).
• Автомобильные приложения: Применяется в системах электропривода и зарядных устройствах для электромобилей.
• Телекоммуникации и серверные питания: Идеально подходит для высокоэффективных источников питания.

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Обеспечьте адекватное охлаждение компонента для стабильной работы при высоких нагрузках.
• Защита от перенапряжений: Используйте схемы защиты от перенапряжений, чтобы предотвратить выход из строя при пиковой нагрузке.
• Напряжение затвора: Учитывайте максимальное и минимальное напряжение затвора для предотвращения повреждения MOSFET.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канал MOSFET
• Технология: SiC (карбид кремния)
• Допустимое напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
• Постоянный ток стока (Id): 33 А (Tc)
• Сопротивление открытому каналу (Rds(on)): 20 мОм при Id=28 A и Vgs=18 В
• Заряд затвора (Qg): 130 нК при Vgs=18 В
• Корпус: PG-TIM247-4
• Максимальная рассеиваемая мощность: 312 Вт (Tc)
• Рабочая температура (Tj): от -55°C до +175°C

Возможные аналоги

• C3M0120100D от Cree
• SCT3120AL от Rohm

Итог

IMW120R020M1HXKSA1 от Infineon предлагает превосходные характеристики для использования в современных мощных и высокоэффективных силовых приложениях. Благодаря применению технологии SiC (карбид кремния), этот MOSFET обеспечивает низкие потери энергии, высокую температурную стабильность и долговечность.