IMW120R014M1HXKSA1 от Infineon

Общее описание

IMW120R014M1HXKSA1 — это мощный MOSFET транзистор на базе технологии карбида кремния (SiC) от Infineon. Этот транзистор предназначен для использования в высоковольтных и высокотоковых приложениях, таких как инверторы, источники питания и системы управления двигателями. Устройство обладает низким сопротивлением каналом и высокой эффективностью.

Преимущества

• Высокая эффективность: благодаря технологии SiC, транзистор имеет более низкие потери и более высокую частоту переключений по сравнению с традиционными силиконовыми MOSFET.
• Высокое напряжение и ток: поддерживает напряжение до 1200 В и ток до 96 А.
• Устойчивость к высоким температурам: рабочий диапазон температур от -55°C до 175°C.
• Низкое сопротивление канала: с сопротивлением 14 мОм при максимальном напряжении, что снижает потери на переключение и проводимость.

Недостатки

• Стоимость: компоненты на базе SiC могут быть дороже по сравнению с традиционными силиконовыми MOSFET.
• Специфические требования к управлению: требует тщательного контроля при проектировании драйверов для максимально эффективной работы.

Типовое использование

• Инверторы для солнечных панелей
• Системы управления двигателями
• Источники питания для серверов и телекоммуникаций
• Преобразователи ветряных турбин

Рекомендации по применению

• Обеспечьте адекватное охлаждение, чтобы максимально использовать рабочий диапазон температур транзистора.
• Используйте драйверы, оптимизированные для управления SiC MOSFET, чтобы минимизировать потери на переключение.
• При проектировании схемы учтите высокие рабочие напряжения и токи, а также быстрые переходные процессы.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора (FET): N-канальный
• Технология: SiCFET (карбид кремния)
• Номинальное напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
• Непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 96 А
• Максимальное сопротивление канала (Rds On): 14 мОм @ 40 А, 18 В
• Заряд затвора (Qg) при Vgs: 160 нК @ 18 В
• Максимальное напряжение затвора (Vgs): +20 В, -5 В
• Максимальная мощность рассеяния (Pd): 435 Вт
• Рабочая температура (Tj): от -55°C до 175°C
• Корпус: PG-TO247-3

Возможные аналоги

• Cree (Wolfspeed): C3M0120090J
• STMicroelectronics: SCT3080AL
• ROHM: SCT3120AL

Этот MOSFET идеально подходит для тех, кто ищет высокую эффективность и надежность в своих высоковольтных и высокотоковых приложениях.