MOSFET IMBG65R007M2HXTMA1 от Infineon

Общее описание:

IMBG65R007M2HXTMA1 — это мощный N-канальный MOSFET на основе кремния карбида (SiC), разработанный компанией Infineon. Этот MOSFET предназначен для работы при высоком напряжении и токе, что делает его идеальным выбором для приложений, требующих высокой эффективности и надежности.

Преимущества:

• Высокое напряжение стока-истока: до 650 В, что позволяет использовать компонент в приложениях с высокими напряжениями.
• Большой непрерывный ток: до 238 А, обеспечивая высокую мощность при низких потерях.
• Низкое сопротивление Rds(on): всего 8.5 мОм, что обеспечивает минимальные потери при переключении и малое нагревание.
• Высокая термическая стабильность: рабочая температура до 175°C, что повышает надежность в жестких условиях эксплуатации.

Недостатки:

• Относительно высокая стоимость по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.
• Требует специальных драйверов для управления, так как требует более высокого напряжения открытия.

Типовое использование:

• Инверторы для солнечных панелей и ветрогенераторов.
• Силовые преобразователи и источники питания.
• Модульные устройства для высокоэффективных промышленных применений.
• Приложения в автомобильной электронике, требующие высокой надежности и эффективности.

Рекомендации по применению:

• Обеспечьте эффективное теплоотведение, это улучшит производительность и долговечность устройства.
• Используйте драйверы, поддерживающие высокое напряжение управления затвором (до 20 В), для достижения минимального сопротивления Rds(on).

Основные технические характеристики:

Возможные аналоги:

• C2M0080120D от Cree.
• SCT3060AR от ROHM.
• SISA16DN от Vishay.

Используя IMBG65R007M2HXTMA1 от Infineon, вы получаете надежное и производительное решение для высоковольтных и высокотоковых приложений, что позволяет создавать эффективные и долговечные устройства.