IMBG120R022M2HXTMA1

IMBG120R022M2HXTMA1 от Infineon

Общее описание:

IMBG120R022M2HXTMA1 - это мощный кремниевый карбидный (SiC) МОП-транзистор (MOSFET) типа N-канал, разработанный Infineon Technologies. Этот компонент предлагает высокую производительность и надежность для различных применений в энергетике и силовой электронике.

Преимущества:

• Высокая эффективность: благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии (Rds(on)) и высокому допустимому току.
• Высокое напряжение пробоя: Этот транзистор выдерживает напряжение до 1200 В, что делает его идеальным для высоковольтных приложений.
• Отличная теплопроводность: обеспечивает высокую мощность рассеивания и надежность в условиях высоких температур.
• Минимальные переключательные потери: таких результатов удалось добиться благодаря свойствам кремния карбида.

Недостатки:

• Стоимость: Кремниевые карбидные устройства могут быть дороже традиционных кремниевых MOSFET.
• Требования к драйверам: Для управления SiC MOSFET могут потребоваться специализированные драйверы, которые обеспечат соответствующие параметры сигнала управления.

Типовое использование:

• Инверторы для солнечных и ветровых энергетических систем.
• Электропитание промышленного оборудования.
• Электрические автомобили и зарядные станции.
• Высоковольтные DC-DC преобразователи.
• Выпрямители и системы UPS.

Рекомендации по применению:

• Отопление: Обеспечьте надлежащее охлаждение транзисторов для работы при высоких токах и напряжениях.
• Защита: Используйте соответствующие схемы защиты от перенапряжений и коротких замыканий.
• Драйверы: Подберите корректные драйверы для управления SiC MOSFET, которые способны обеспечить требуемые параметры напряжения и тока на затворе.

Основные технические характеристики:

• Модель: IMBG120R022M2HXTMA1
• Тип транзистора: N-канал SiC MOSFET
• Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 1200 В
• Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 87 А (Tc)
• Максимальное сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 22 мОм @ 32.1А, 18В
• Максимальное напряжение на затворе (Vgs): +23 В, -10 В
• Суммарный заряд затвора (Qg): 71 нКл @ 18 В
• Максимальная мощность рассеивания: 385 Вт (Tc)
• Монтаж: Поверхностный монтаж (PG-TO263-7-12)
• Диапазон рабочих температур: -55°C ~ 175°C (Tj)

Возможные аналоги:

• C2M0080120D от Wolfspeed.
• SCT3120AL от ROHM.
• SCT3120KR от ROHM.

Этот компонент идеально подходит для применения в высоковольтных и высокоэффективных системах, требующих надежности и длительного срока службы.