IMBG120R017M2HXTMA1

N-канальный МОП-транзистор IMBG120R017M2HXTMA1 от Infineon

Общее описание

IMBG120R017M2HXTMA1 — это N-канальный MOSFET (металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор) от компании Infineon. Этот MOSFET использует передовую технологию SiC (карбид кремния), что обеспечивает высокую производительность при эксплуатации в суровых электрических условиях. Он имеет максимальное напряжение между стоком и истоком (Vds) 1200 В и максимальный непрерывный ток стока (Id) 107 А при температуре 25°C.

Преимущества

• Высокая эффективность: Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) и высокий коэффиецент мощность-прием.
• Термическая стабильность: Карбид кремния обеспечивает устойчивую работу при высоких температурах.
• Низкие коммутационные потери: Быстрое переключение за счет низкой входной и выходной емкости.

Недостатки

• Стоимость: Технология SiC обычно дороже традиционных кремниевых решений.
• Требует точности: Работа с такими компонентами требует точных расчетов и хорошо спроектированных драйверов, чтобы обеспечить надежное переключение и управление.

Типовое использование

• Инверторы и преобразователи: Применение в солнечных инверторах, преобразователях энергии и источниках бесперебойного питания (ИБП).
• Моторные драйверы: Использование в высокопроизводительных приводных системах и системах моторного управления.
• Электропитание: Высоковольтные источники питания и приложения с высоким напряжением.

Рекомендации по применению

• Термическое управление: Обеспечьте эффективное рассеивание тепла с помощью радиаторов или теплопроводящих материалов.
• Питание драйверов: Используйте драйверы врат с высоким драйвовым током для быстрого переключения.
• Электрическая изоляция: Убедитесь в надежной изоляции и защите от перенапряжений для удлинения срока службы компонента.

Основные технические характеристики

Возможные аналоги

• STMicroelectronics: SCT30N120
• Wolfspeed: C3M0075120K

Заключение

IMBG120R017M2HXTMA1 представляет собой идеальное решение для высокопроизводительных и высоконадежных приложений благодаря своей высокой эффективности, низким коммутационным потерям и устойчивости к высоким температурам. С хорошим тепловым управлением и правильными драйверами он сможет обеспечить превосходные рабочие характеристики в самых различных применениях.