IMBG120R012M2HXTMA1

IMBG120R012M2HXTMA1 от Infineon

Общее описание

IMBG120R012M2HXTMA1 — это высокопроизводительный N-канальный MOSFET, выполненный на базе технологии Silicon Carbide (SiC), разработанный компанией Infineon. Данный компонент имеет высокий коэффициент полезного действия и предназначен для работы в условиях высоких напряжений до 1200 В и токов до 144 А при комнатной температуре.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя (1200 В) — позволяет использовать этот MOSFET в мощных схемах.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (12.2 мОм) — способствует уменьшению потерь мощности.
• Высокая плотность мощности — позволяет значительно уменьшить габариты и массу устройств.
• Широкий диапазон рабочих температур — от -55°C до 175°C, что обеспечивает надежность работы в различных условиях.
• Стабильность и высокая надежность благодаря использованию технологии SiC.

Недостатки

• Стоимость — компоненты на базе SiC обычно дороже аналогичных кремниевых решений.
• Необходимость в специализированных драйверах — для управления могут потребоваться специфические драйверы.

Типовое использование

• Инверторы и преобразователи — для использования в системах управления двигателями, солнечной энергетике и других мощных электронных устройствах.
• Системы питания для серверов и дата-центров — для повышения КПД и снижения тепловыделения.
• Электрические транспортные средства — для повышения эффективности управления питанием и уменьшения размера и массы компонентов.

Рекомендации по применению

• Для достижения максимальной производительности рекомендуется использовать специализированные драйверы, разработанные для работы с SiC MOSFET.
• Обеспечьте надежное крепление и охлаждение компонента, чтобы избежать перегрева и соответственно увеличить его долговечность.
• Внимательно следите за параметрами входных и выходных напряжений, чтобы не превышать допустимых значений, указанных в технических характеристиках.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный SiCFET
• Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
• Непрерывный стоковый ток (Id) при 25°C: 144A (Tc)
• Максимальное сопротивление в открытом состоянии (Rds On): 12.2 мОм при Id = 56.7A, Vgs = 18V
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): +23V/-10V
• Энергопотребление: 600 Вт (Tc)
• Рабочий температурный диапазон: -55°C ~ 175°C (Tj)
• Корпус: PG-TO263-7-12, D2PAK (7 выводов + таб)

Возможные аналоги

• C2M1000170D от Wolfspeed
• SCT3022AL от ROHM Semiconductor
• UF3N170400Y3S от United Silicon Carbide

Использование спектра современных технологий и максимальная надежность делают IMBG120R012M2HXTMA1 отличным выбором для широкого спектра применения в высокоэнергетических системах.