IMBG120R008M2HXTMA1

MOSFET N-канал IMBG120R008M2HXTMA1 от Infineon

Общее описание:

IMBG120R008M2HXTMA1 - это современный N-канальный MOSFET, использующий кремний-карбидную (SiC) технологию от компании Infineon. Этот MOSFET предназначен для работы в высоковольтных и высокоэффективных приложениях, обеспечивая низкие потери при переключении и высокую производительность.

Преимущества:

• Высокое напряжение стока-истока (Vdss): 1200V.
• Высокая пропускная способность тока: до 189А при 25°C.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds On): всего 7.7 мОм.
• Отличная эффективность переключения благодаря SiC технологии.
• Широкий диапазон рабочих температур: от -55°C до 175°C.

Недостатки:

• Относительно высокая стоимость по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.
• Необходимость специализированных драйверов для управления из-за высоких требований к напряжению затвора.

Типовое использование:

• Инверторы в солнечных и ветровых установках.
• Системы электроприводов высокоэффективных электродвигателей.
• Высоковольтные источники питания и преобразователи.
• Электромобильная индустрия, включая зарядные устройства и блоки управления двигателями.

Рекомендации по применению:

• Используйте соответствующие драйвера для управления MOSFET, чтобы обеспечить правильное переключение и минимизировать потери.
• Обеспечьте достаточное охлаждение и тепловой интерфейс, так как высокий ток может приводить к значительным тепловым потерям.
• Проверяйте параметры встроенной емкости и индуктивности схемы, чтобы избежать нежелательных колебаний и резонансов.

Основные технические характеристики:

• Тип устройства: N-канальный MOSFET
• Технология: SiCFET (кремний-карбид)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
• Непрерывный ток стока (Id) при 25°C (Tc): 189A
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds On) при Id, Vgs: 7.7 мОм @ 89.9A, 18V
• Пороговое напряжение (Vgs(th)) при Id: 5.1V @ 28.3mA
• Полный заряд затвора (Qg): 195 nC @ 18V
• Максимальное напряжение на затворе (Vgs): +23V, -10V
• Рабочая температура (Tj): от -55°C до 175°C
• Мощность рассеивания (Pd): 800W
• Корпус: PG-TO263-7-12 (D2PAK-7)

Возможные аналоги:

• IMGW120R045M1 от Infineon
• C3M0016120D от Cree
• SCT3160KLGC11 от Rohm

Используя IMBG120R008M2HXTMA1 от Infineon, вы получите высокопроизводительное решение для вашего проекта с минимальными потерями и максимальной эффективностью.