IGO60R070D1AUMA1

IGO60R070D1AUMA1 от Infineon

Общее описание

IGO60R070D1AUMA1 — это мощный MOSFET-транзистор с улучшенными характеристиками, основанный на технологии CoolGaN™. Он обеспечивает высокую эффективность и надежность, особенно в областях, где требуется высокая частота переключения и высокая плотность мощности. Его разработчиком и производителем является компания Infineon Technologies.

Преимущества

• Высокая эффективность: Благодаря GaN (Gallium Nitride) технологии, транзистор обеспечивает высокую эффективность при низких уровнях потерь.
• Высокая частота переключения: Позволяет уменьшить размеры компонентов схемы, таких как индукторы и конденсаторы.
• Низкое тепловыделение: Уменьшает потребность в сложных системах охлаждения.
• Устойчивость к жестким условиям эксплуатации: Повышенная надежность и долговечность при эксплуатации в тяжелых условиях.

Недостатки

• Стоимость: Транзисторы GaN могут быть дороже по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.
• Требования к драйверам: Необходимы специальные драйверы для управления GaN транзисторами.

Типовое использование

• Инверторы для солнечных систем и электромобилей.
• Блоки питания с высокой плотностью мощности и высокочастотными характеристиками.
• Промышленные и потребительские электроники, требующие высокой эффективности.

Рекомендации по применению

• Обеспечьте хорошее охлаждение для поддержания надежной работы при высокой мощности и частоте.
• Используйте драйверы, совместимые с GaN транзисторами, для достижения оптимальных параметров.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный GaNFET
• Напряжение исток-сток (Vds): 600 В
• Непрерывный ток стока (Id): 31А при 25°C
• Сопротивление открытого канала (Rds On, Max): 70 мОм
• Заряд на затворе (Qg): 6 нКнс
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 Вт

Возможные аналоги

• EPC2034 (EPC)
• GS66508T (GaN Systems)
• TPH3202PS (Transphorm)

Заключение

МОП-транзистор IGO60R070D1AUMA1 от Infineon является высокоэффективным и надежным компонентом для применения в сложных условиях. Благодаря использованию технологии CoolGaN™, этот компонент обеспечивает надежную и эффективную работу в различных приложениях, требующих высокой частоты переключения и высокой плотности мощности.