FS55MR12W1M1HB11NPSA1

18 720,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

MOSFET FS55MR12W1M1HB11NPSA1 от Infineon

Общее описание

FS55MR12W1M1HB11NPSA1 — это высокоэффективный транзистор MOSFET от компании Infineon Technologies. Изготовленный с использованием технологии Silicon Carbide (SiC), он предназначен для работы в высоковольтных и высокотоковых цепях. Данный транзистор сочетает высокую рабочую частоту, низкие потери на переключение и высокую надежность, что делает его идеальным для использования в сложных силовых цепях и преобразователях.

Преимущества

  • Высокая эффективность: Благодаря использованию технологии SiC, обеспечивается низкое сопротивление в открытом состоянии и минимальные потери на переключение.
  • Высокая рабочая частота: Возможность работы на высоких частотах позволяет уменьшить размеры и вес системы.
  • Надежность и долговечность: Повышенная устойчивость к термическим и механическим стрессам.
  • Универсальность применения: Подходит для широкого диапазона высоковольтных и мощностных применений.

Недостатки

  • Выше стоимость: По сравнению с традиционными силиконовыми MOSFET, SiC транзисторы могут быть дороже.
  • Специфические схемотехнические требования: Требуются специальные схемные решения для оптимального использования высокочастотных потенциалов.

Типовое использование

  • Инверторы для солнечных и ветровых установок
  • Преобразователи мощности в электротранспорте
  • Высоковольтные источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Индустриальные приводы и сервоприводы

Рекомендации по применению

  • Обязательно учитывайте тепловые режимы работы устройства и предусматривайте эффективное охлаждение.
  • Обеспечьте качественные параметры драйверов для управления затвором (Gate), чтобы минимизировать потери на переключение.

Основные технические характеристики

  • Тип: N-канальный SiC MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 1200 В
  • Максимальный ток стока (Id) при 25°C: 55 А
  • Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 45 мОм при 25°C
  • Максимальная рабочая температура (TJ): от -40 до +175°C
  • Корпус: Силовой модуль
  • Термическое сопротивление (RθJC): 0.1°C/Вт

Возможные аналоги

  • C2M0080120D от Cree
  • IMW120R045M1H от Infineon Technologies
  • APT50SCD120B от Microsemi

Эти альтернативы имеют схожие характеристики и могут рассматриваться в случае необходимости замены.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК