FS45MR12W1M1B11BOMA1

FS45MR12W1M1B11BOMA1 - Инфинион Технолоджис

Общее описание

FS45MR12W1M1B11BOMA1 является высокоэффективным IGBT модулем, разработанным производителем Infineon Technologies. Этот продукт предназначен для использования в мощных электронных системах и позволяет управлять большими токами и напряжениями, что делает его идеальным выбором для промышленных применений и энергетических преобразователей.

Преимущества

• Высокая эффективность: Обеспечивает низкие потери при переключении, что повышает общую производительность системы.
• Надежность: Модуль разработан так, чтобы выдерживать высокие токовые нагрузки и обеспечивать долговечную работу.
• Температурная устойчивость: Отличная работа в широком диапазоне температур от -40°C до +150°C.
• Компактные размеры: Минимизация пространства на печатной плате благодаря интеграции нескольких элементов в один корпус.

Недостатки

• Стоимость: Более высокая цена по сравнению с аналогичными компонентами, что может увеличить стоимость конечного продукта.
• Необходимость охлаждения: Для оптимальной работы требует надлежащего охлаждения.

Типовое использование

• Энергетические преобразователи: Преобразование и управление энергией для промышленных и коммерческих применений.
• Промышленные приводы: Управление электродвигателями в различных производственных процессах.
• Возобновляемая энергетика: Солнечные инверторы и другие системы преобразования энергии.
• Системы передачи и распределения электроэнергии.

Рекомендации по применению

• Обеспечьте адекватное охлаждение для модуля, чтобы избежать перегрева и продлить срок службы.
• Используйте устройства защиты от перенапряжения и перегрузки по току.
• Тщательно следуйте рекомендациям производителя по монтажу и эксплуатации для достижения максимальной надежности и производительности.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Напряжение коллектора-эмиттера (Vce): 1200 В
• Ток коллектора (Ic): 45 А
• Пиковый ток коллектора (Icm): 90 А
• Температурный диапазон: от -40°C до +150°C
• Мощность: Высокая
• Сопротивление в открытом состоянии (Rceon): Низкое
• Корпус: Модульный, для монтажа на шасси

Возможные аналоги

• FS35MR12W1M1B11BOMA1 - схожий IGBT модуль с немного меньшим током коллектора.
• FS75MR12W2M1B11BPSA1 - аналог, предназначенный для более высоких токовых нагрузок.
• FS50MR12W1M1B11BOMA1 - промежуточный вариант с током коллектора 50 А.

Этот IGBT модуль от Infineon Technologies представляет собой надежный и эффективный компонент для широкого круга промышленных приложений, особенно там, где важны высокая производительность и долговечность.