FS28MR12W1M1HB11HPSA1
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
FS28MR12W1M1HB11HPSA1 от Infineon Technologies
Общее описание
FS28MR12W1M1HB11HPSA1 - это современный модуль питания, выполненный на основе технологии кремниевого карбида (SiC) от Infineon Technologies. Этот модуль предназначен для использования в высокоэффективных и высоконадежных приложениях, таких как преобразователи мощности, силовые инверторы и источники бесперебойного питания (UPS).
Преимущества
- Высокая эффективность: Использование SiC-технологии позволяет значительно снизить потери мощности.
- Повышенная надежность: Модуль демонстрирует устойчивую работу в сложных условиях и при высоких температурах.
- Компактность: Благодаря прогрессивной упаковке EasyPACK, данный модуль занимает меньше места в устройстве.
Недостатки
- Цена: Компоненты на основе SiC дороже традиционных кремниевых компонентов.
- Требования к охлаждению: Для достижения оптимальной производительности необходимо обеспечить эффективное охлаждение.
Типовое использование
- Промышленные преобразователи и инверторы
- Системы электроснабжения и UPS
- Солнечные инверторы
- Электромобили и зарядные станции
Рекомендации по применению
- Для достижения максимальной производительности используйте качественные схемы охлаждения.
- Убедитесь, что электрическая схема соответствует рекомендуемым параметрам и спецификациям, указанным в техническом паспорте продукта.
- Проводите регулярные проверки и обслуживание компонентов для предотвращения выхода из строя.
Основные технические характеристики
- Тип транзистора: SiC MOSFET
- Конфигурация: SixPack (три фазных плеча)
- Режим канала: N-канал
- Максимальный ток: 30 А
- Максимальное напряжение: 1200 В
- Сопротивление канала (Rds(on)): 0.0264 Ом
- Упаковка: Модуль (EasyPACK)
Возможные аналоги
- FS45MR12W2M1H_B11 от Infineon: Имеет повышенную номинальную мощность.
- GPL40KA160DB от Vishay: SiC MOSFET модуль, аналогичный по параметрам, но другой производитель.
- C2M0045170D от Wolfspeed: Аналогичный SiC MOSFET для высоковольтных приложений.
Этот модуль идеально подходит для применения в системах, требующих высокой надежности и эффективности. Оптимизация рабочих характеристик благодаря использованию кремниевого карбида обеспечивает долгий срок службы и высокую производительность компонента в различных условиях.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.