FM28V202A-TG

7 200,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

FM28V202A-TG от Infineon

Общее описание

FM28V202A-TG – это интегральная схема памяти типа FRAM (ферроэлектрическая RAM) емкостью 2 Мбит, произведенная компанией Infineon Technologies. Данная память обеспечивает высокую производительность и надежность, сохраняя данные даже при отключении питания, что делает ее идеальным выбором для приложений, требующих частых операций записи и считывания.

Преимущества

  • Высокая скорость записи/чтения: поддерживает молниеносное время доступа до 90 нс.
  • Низкое энергопотребление: работает при напряжении питания от 2 В до 3,6 В, что делает её энергоэффективной.
  • Неограниченное количество циклов записи/чтения: по сравнению с флэш-памятью и EEPROM, ферроэлектрическая RAM способна выдерживать до одного триллиона циклов записи.
  • Ретенция данных без питания: данные сохраняются без необходимости в батареях или других источниках питания.

Недостатки

  • Стоимость: технология FRAM может быть дороже по сравнению с традиционными памятью EEPROM или флэш-памятью.
  • Ограниченный опыт использования: данный тип памяти используется не так широко, как другие технологии, и может потребовать дополнительных усилий для интеграции в существующие системы.

Типовое использование

  • Промышленная автоматизация и управление: для хранения настроек и конфигураций устройств.
  • Медицинские устройства: сохранение конфиденциальных данных даже при перебоях питания.
  • Сетевые устройства: для хранения таблиц маршрутизации и конфигурационных данных.
  • Энергетические системы: мониторинг и контроль состояния сетей.

Рекомендации по применению

  • Следует использовать в системах, где критично быстрое и неограниченное количество циклов записи/чтения.
  • При проектировании учитывать допустимые параметры напряжения и температуры.
  • Для поверхностного монтажа следовать рекомендациям по размещению и пайке компонентов.

Основные технические характеристики

Параметр Значение
Тип памяти Non-Volatile (энергонезависимая)
Технология FRAM (ферроэлектрическая RAM)
Емкость памяти 2 Mбит
Организация памяти 128К x 16
Интерфейс памяти Параллельный
Время цикла записи 90 нс
Время доступа 90 нс
Напряжение питания 2В ~ 3.6В
Рабочая температура -40°C ~ 85°C
Тип корпуса 44-TSOP (10.16 мм в ширину)
Тип монтажа Поверхностный (SMD)
Обозначение корпуса 44-TSOP II

Возможные аналоги

  • FM28V020-SG от Cypress Semiconductor: 2 Мбит FRAM, с похожими характеристиками, но в корпусе 32-SOIC.
  • FM24V02A-GTR от Fujitsu: 2 Мбит FRAM, серийный интерфейс I²C, альтернатива для приложений с серийным интерфейсом.

При выборе памяти FM28V202A-TG от Infineon Technologies, вы получаете надежную и высокопроизводительную энергонезависимую память, которая идеально подходит для задач, требующих частых операций записи и чтения.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК