FM22L16-55-TGTR

FM22L16-55-TGTR от Infineon

Общее описание

FM22L16-55-TGTR — это энергонезависимая память типа FRAM (ферроэлектрическая RAM) объемом 4 Мбит, организованная как 256К х 16. Этот компонент обеспечивает быстрый доступ и запись данных, с высокой надежностью и длительным сроком службы. Микросхема поставляется в корпусе TSOP II на 44 вывода и поддерживает работу в широком диапазоне температур.

Преимущества

• Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 55 нс, что обеспечивает быстрый отклик в системах реального времени.
• Энергонезависимость: FRAM сохраняет данные без необходимости в источнике питания.
• Долговечность: Возможность выполнения большого количества циклов записи/стирания (до 10^14 циклов).
• Низкое энергопотребление: Подходит для использования в энергосберегающих устройствах.

Недостатки

• Стоимость: Обычно FRAM стоит дороже по сравнению с другими типами энергозависимой памяти.
• Емкость: Несколько ограниченная емкость по сравнению с флэш-памятью или магнитным хранением.

Типовое использование

• Встроенные системы
• Промышленные управления
• Медицинские устройства
• Автомобильная электроника
• Хранение данных в условиях высоких скоростей доступа и частых операций записи/чтения

Рекомендации по применению

• Используйте компоненты для задач, требующих высокой скорости записи и чтения и надежного хранения данных.
• Обеспечьте соответствующие условия хранения и эксплуатации для максимального срока службы устройства.
• Распределите теплоотведение при использовании в условиях высоких температур.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: FRAM (ферроэлектрическая RAM)
• Объем памяти: 4 Мбит (256К х 16)
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Время доступа: 55 нс
• Напряжение питания: 2.7 В ~ 3.6 В
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Корпус: 44-выводной TSOP II

Возможные аналоги

• FM24C256B-GTR от Infineon — 256Кбит I²C FRAM.
• FM24V10-G от Cypress Semiconductor — 1Мбит (128К x 8) I²C FRAM.
• CY15B104Q-SXA от Cypress Semiconductor — 4 Мбит (512К x 8) SPI FRAM.

Используйте этот компонент для проектов, где необходима высокая скорость записи и чтения данных, а также где требуется энергонезависимая память с большим количеством циклов записи и стирания.