FM22L16-55-TG

9 360,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

FM22L16-55-TG от Infineon

Общее описание

FM22L16-55-TG - это интегральная схема памяти типа FRAM (ферроэлектрическая RAM) от Infineon Technologies. Данный компонент обеспечивает хранение данных объемом 4 Мбит и имеет параллельный интерфейс. Основное преимущество FRAM памяти заключается в ее высокой скорости записи и долгосрочной надежности, что делает её идеальной для применения в разнообразных промышленных и коммерческих системах.

Преимущества

  • Высокая скорость записи: Время цикла записи всего 55 нс.
  • Неограниченное количество циклов записи/чтения: В отличие от традиционных EEPROM и Flash, FRAM может выдержать неограниченное количество циклов записи и чтения.
  • Мгновенная запись: Нет необходимости в задержке записи, что обеспечивает высокую производительность.
  • Низкое энергопотребление: Потребляет меньше энергии по сравнению с другими типами памяти.

Недостатки

  • Стоимость: FRAM может быть дороже по сравнению с другими типами памяти.
  • Объем памяти: Объем памяти может быть ограничен по сравнению с DRAM или Flash.

Типовое использование

  • Промышленные контроллеры: Используется для хранения критически важной информации или данных конфигурации оборудования.
  • Системы сбора данных: Подходит для применения в системах, требующих быстрой записи данных.
  • Автомобильная электроника: Используется для хранения настроек и параметров, что необходимо для работы автомобилей.
  • Медицинское оборудование: Для хранения пациентных данных и истории в устройствах диагностики.

Рекомендации по применению

  • Следите за уровнем питания в условиях нестабильного напряжения для предотвращения потери данных.
  • Встраивайте в системы, где необходима высокая надежность и скорость записи.
  • Учтите ограничения по температуре при использовании в промышленных и иных средах.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: FRAM
  • Объем памяти: 4 Мбит (256K x 16)
  • Время цикла записи: 55 нс
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Напряжение питания: 2.7 В ~ 3.6 В
  • Операционная температура: -40°C до 85°C
  • Корпус: 44-выводной TSOP II (0.400", 10.16 мм в ширину)

Возможные аналоги

  • Cypress FM25V10-G: Объем памяти 1 Мбит, SPI интерфейс.
  • Texas Instruments MSP430FR6989: Объем памяти 2 Мбит, встроенный в микроконтроллер.
  • NXP MR2A16A: 4 Мбит, параллельный интерфейс, MRAM технология.

Этот продукт является отличным выбором для различных приложений, требующих быстрой, надежной и энергоэффективной памяти.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК