FF8MR12W1M1HB70BPSA1

FF8MR12W1M1HB70BPSA1 от Infineon

Общее описание

FF8MR12W1M1HB70BPSA1 – это силовой MOSFET транзистор производства Infineon Technologies, предназначенный для работы в высоковольтных и высокотоковых приложениях. Этот MOSFET известен своей высокой производительностью и надёжностью, что делает его идеальным выбором для применения в различных силовых электронике.

Преимущества

• Высокая эффективность: Минимизация потерь мощности благодаря низкому энергопотреблению.
• Высокая надёжность: Устойчивая работа в условиях высоких температур и токов.
• Оптимизированные параметры: Обеспечение высокоскоростного коммутационного режима.
• Широкий диапазон применений: Идеален для различных силовых применений, включая преобразователи, источники питания и моторные драйверы.

Недостатки

• Цена: Высококачественные компоненты могут иметь высокую стоимость.
• Сложность монтажа: Требует аккуратного обращения и правильного монтажа для предотвращения повреждений.

Типовое использование

• Инверторы
• Связные усилители
• Преобразователи DC-DC
• Источники питания
• Промышленные двигатели

Рекомендации по применению

• Обеспечьте надлежащее охлаждение для предотвращения перегрева компонента.
• Следуйте рекомендациям по монтажу и избегайте электростатических разрядов.
• Включите защитные схемы для предотвращения перегрузок по току и напряжению.

Основные технические характеристики

• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 1200 В
• Максимальный непрерывный ток сток-исток (Id): 34 А
• Пороговое напряжение затвор-исток (Vgs): ±20В
• Rds(on) (максимальное): 295 мОм при Vgs=10В
• Мощность рассеивания: 157 Вт

Возможные аналоги

• IXFH44N50P от IXYS
• IRFP4332 от Infineon Technologies
• STW38N65M5 от STMicroelectronics

Информация об аналогах предоставляет варианты замены при необходимости, однако точный выбор должен учитывать все спецификации и требования вашего проекта.