FF8MR12W1M1HB11BPSA1

34 800,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

FF8MR12W1M1HB11BPSA1 от Infineon

Общее описание

FF8MR12W1M1HB11BPSA1 - это силовой модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании Infineon. Этот модуль предназначен для высоковольтных и высокомощных приложений. IGBT-модули служат для управления и преобразования энергии в различных электронных устройствах.

Преимущества

  • Высокая эффективность: Низкие потери при переключении благодаря использованию передовой технологии IGBT.
  • Компактные размеры: Сниженное объемное сопротивление и компактный размер упаковки.
  • Надежность: Высокая устойчивость к перегрузкам и перепадам напряжения.
  • Удобство установки: Монтаж на шасси позволяет легко интегрировать модуль в различные системы.

Недостатки

  • Высокая стоимость: За высокую эффективность и надежность приходится платить более высоким ценником.
  • Сложность в охлаждении: Требуются дополнительные меры для обеспечения теплового режима, такие как радиаторы или системы жидкостного охлаждения.

Типовое использование

  • Промышленные приводы
  • Приборы для производства и распределения энергии
  • Силовые конвертеры
  • Системы управления мотором
  • Источник бесперебойного питания (ИБП)

Рекомендации по применению

  • Охлаждение: Обеспечьте эффективное охлаждение модуля для предотвращения перегрева и поддержания стабильной работы.
  • Фильтрация: Обеспечьте адекватную фильтрацию для минимизации электромагнитных помех (EMI).
  • Защита: Используйте дополнительные защитные компоненты для предотвращения повреждения модуля при перенапряжении или перегрузке.

Основные технические характеристики

  • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (Vces): 1200 В
  • Максимальный непрерывный ток коллектора (Ic): 80 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 320 Вт
  • Корпус: EconoPACK™4
  • Пиковое напряжение затвора (Vge): ±20 В
  • Ток утечки коллектора-эмиттера (ICES): 1 мА при 1200 В

Возможные аналоги

  • Mitsubishi CM75DY-24H: Подходит для модулей мощностью до 75 А и напряжением до 1200 В.
  • Vishay VS-40TPS12M: Альтернативный IGBT модуль для высоковольтных применений.

Используя FF8MR12W1M1HB11BPSA1, вы получаете надежное и высокоэффективное решение для управления мощными нагрузками в индустриальных и энергетических приложениях.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК