FF6MR12W2M1HPB11BPSA1

51 840,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 от Infineon Technologies

Общее описание

FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 – это модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Infineon Technologies. Данный модуль предназначен для использования в силовой электронике и промышленных приложениях, обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Преимущества

  • Высокая эффективность: Благодаря применению новейших технологий, модуль обеспечивает минимальные потери при переключении и проводимости.
  • Надежность: Высокое качество и доступность компонентов гарантируют долгий срок службы устройства при эксплуатации в жестких условиях.
  • Компактность: Модуль имеет малые габариты, что облегчает его интеграцию в различные системы.

Недостатки

  • Цена: Высокотехнологичные решения часто имеют более высокую стоимость по сравнению с обычными транзисторными модулями.
  • Теплоотведение: Для обеспечения оптимальной работы может потребоваться дополнительное охлаждающее оборудование.

Типовое использование

  • Промышленные приводы
  • Солнечные инверторы
  • Силовые источники питания
  • Системы управления электродвигателями
  • Автономные энергетические системы

Рекомендации по применению

  • Монтаж: Модуль предназначен для монтажа на шасси. Важно обеспечить надежную фиксацию и адекватное теплоотведение.
  • Охлаждение: Рекомендуется использование радиаторов и, при необходимости, вентиляторов для эффективного отвода тепла.
  • Электрические параметры: Следует внимательно соблюдать номинальные электрические параметры для избегания перегрузок и выхода модуля из строя.

Основные технические характеристики

  • Напряжение коллектора-эмиттера (Vces): 1200В
  • Ток коллектора (Ic): 600А
  • Потери на переключение (Eon, Eoff): низкие потери при переключении
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
  • Тип корпуса: Модуль
  • Монтаж: На шасси

Возможные аналоги

  • FF600R12ME4 от Infineon Technologies: также представляет собой модуль IGBT с аналогичными характеристиками.
  • IXXN600N12T от IXYS: модуль IGBT с напряжением коллектора-эмиттера 1200В и током 600А.
  • 6MBP150RA120-50 от Fuji Electric: модуль IGBT на 1200В, который можно использовать в подобных приложениях.

Используя FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 от Infineon Technologies, можно быть уверенным в высоком качестве и надежности решения для сложных промышленных и энергетических приложений.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК