FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 от Infineon Technologies
Общее описание
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 – это модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Infineon Technologies. Данный модуль предназначен для использования в силовой электронике и промышленных приложениях, обеспечивая высокую эффективность и надежность.
Преимущества
- Высокая эффективность: Благодаря применению новейших технологий, модуль обеспечивает минимальные потери при переключении и проводимости.
- Надежность: Высокое качество и доступность компонентов гарантируют долгий срок службы устройства при эксплуатации в жестких условиях.
- Компактность: Модуль имеет малые габариты, что облегчает его интеграцию в различные системы.
Недостатки
- Цена: Высокотехнологичные решения часто имеют более высокую стоимость по сравнению с обычными транзисторными модулями.
- Теплоотведение: Для обеспечения оптимальной работы может потребоваться дополнительное охлаждающее оборудование.
Типовое использование
- Промышленные приводы
- Солнечные инверторы
- Силовые источники питания
- Системы управления электродвигателями
- Автономные энергетические системы
Рекомендации по применению
- Монтаж: Модуль предназначен для монтажа на шасси. Важно обеспечить надежную фиксацию и адекватное теплоотведение.
- Охлаждение: Рекомендуется использование радиаторов и, при необходимости, вентиляторов для эффективного отвода тепла.
- Электрические параметры: Следует внимательно соблюдать номинальные электрические параметры для избегания перегрузок и выхода модуля из строя.
Основные технические характеристики
- Напряжение коллектора-эмиттера (Vces): 1200В
- Ток коллектора (Ic): 600А
- Потери на переключение (Eon, Eoff): низкие потери при переключении
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Тип корпуса: Модуль
- Монтаж: На шасси
Возможные аналоги
- FF600R12ME4 от Infineon Technologies: также представляет собой модуль IGBT с аналогичными характеристиками.
- IXXN600N12T от IXYS: модуль IGBT с напряжением коллектора-эмиттера 1200В и током 600А.
- 6MBP150RA120-50 от Fuji Electric: модуль IGBT на 1200В, который можно использовать в подобных приложениях.
Используя FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 от Infineon Technologies, можно быть уверенным в высоком качестве и надежности решения для сложных промышленных и энергетических приложений.
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.