FF6MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies

Общее описание

FF6MR12W2M1HB70BPSA1 от Infineon Technologies - это модуль на основе карбида кремния (SiC) с полевым транзистором (MOSFET). Данный модуль обладает отличными электрическими характеристиками и предназначен для применения в высокопроизводительных полупроводниковых устройствах. Он идеально подходит для использования в силовых преобразователях, инверторах и других приложениях высокой мощности.

Преимущества

• Высокая эффективность: Низкие потери на переключение и проводимость, что ведет к повышению общей эффективности системы.
• Стабильная работа при высоких температурах: Возможность работы при повышенных температурах благодаря свойствам карбида кремния.
• Компактный дизайн: Компактные размеры и высокая плотность мощности позволяют снизить размеры и вес конечного устройства.
• Устойчив к радиационному воздействию: Повышенная защита от радиационных воздействий делает модуль подходящим для аэрокосмических и медицинских приложений.

Недостатки

• Стоимость: Более высокая стоимость по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.
• Требует специализированной коммутации: Необходима специализированная схема управления для полного раскрытия потенциала модуля.

Типовое использование

• Преобразователи мощности.
• Солнечные инверторы.
• Системы электропитания.
• Системы электромобилей.
• Индустриальные и автоматизированные системы.

Рекомендации по применению

• Обеспечить адекватное охлаждение для поддержания оптимальных рабочих температур.
• Использовать подходящие драйверы для управления SiC MOSFET.
• Разрабатывать защитные схемы для предотвращения перенапряжений и перегрузок.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный SiC MOSFET
• Максимальное напряжение (Vds): 1200 В
• Максимальный ток (Id): 150 А
• Сопротивление канала (Rds(on)): 5.4 мОм
• Конфигурация модуля: Полумост
• Рабочая температура: -40°C до 150°C

Возможные аналоги

• FF17MR12W1M1B11BOMA1 (Infineon): Модуль с похожими характеристиками для применений с несколько меньшей мощностью.
• PT62SC120LTD (Rohm): Альтернативный SiC MOSFET модуль с аналогичными параметрами.
• CMF20120D (Cree): Еще один аналог от другого производителя с подобными рабочими параметрами.

Это высокоэффективное решение, предлагаемое Infineon Technologies, соответствует самым высоким стандартам и способно улучшить производительность и надежность вашей системы.