FF6MR12W2M1HB11BPSA1

50 160,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание


FF6MR12W2M1HB11BPSA1 от Infineon


FF6MR12W2M1HB11BPSA1 — это мощный модуль MOSFET от компании Infineon, созданный для работы в условиях высоких напряжений и токов. Данный модуль создан на основе технологии карбида кремния (SiC), что обеспечивает его высокую эффективность и надежность в различных условиях эксплуатации.

Общие характеристики:

  • Тип транзистора: SiC N-канальный MOSFET
  • Конфигурация: Полумост
  • Максимальное напряжение на сток-исток (Vds): 1200 В
  • Непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 145А (Tj)
  • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 5.4 мОм при 150А, 18В
  • Пороговое напряжение (Vgs(th)): 5.15В при 60мА
  • Заряд затвора (Qg): 446нК при 18В
  • Емкость затвора (Ciss): 13200пФ при 800В
  • Рабочая температура: от -40°C до 175°C (Tj)
  • Тип монтажа: Монтаж на шасси
  • Корпус: Модуль

Преимущества:

  • Высокая эффективность: Технология карбида кремния (SiC) значительно снижает потери мощности, улучшая общую производительность системы.
  • Высокая термостойкость: Работа при температурах до 175°C позволяет использовать модуль в экстремальных условиях.
  • Низкое сопротивление Rds(on): Обеспечивает минимальные потери на проводимости.

Недостатки:

  • Стоимость: Компоненты на основе карбида кремния могут быть дороже по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.
  • Требования к управлению: Могут потребоваться специализированные драйверы для затворов из-за особенностей SiC технологии.

Типовое использование:

  • Силовые инверторы
  • Преобразователи мощности
  • Системы управления двигателями
  • Промышленные силовые установки
  • Электротранспорт и зарядные станции

Рекомендации по применению:

  • Следите за адекватным охлаждением модуля, особенно при высоких токах.
  • Используйте подходящие драйверы для управления затвором MOSFET.
  • Проверьте условия монтажа, чтобы обеспечить надежный тепловой контакт с шасси.

Возможные аналоги:

  • FMF200GB120 от Fuji Electric
  • CMF20120D от Wolfspeed
  • SKiiP 4 от Semikron

Заключение:

FF6MR12W2M1HB11BPSA1 от Infineon — это высококачественный и надежный модуль MOSFET для мощных силовых приложений, обеспечивающий высокую эффективность и производительность благодаря внедрению технологии карбида кремния.


Важно: Внимательно ознакомьтесь с технической документацией от производителя перед применением компонента в вашем проекте.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК