FF6MR12W2M1HB11BPSA1
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
FF6MR12W2M1HB11BPSA1 от Infineon
FF6MR12W2M1HB11BPSA1 — это мощный модуль MOSFET от компании Infineon, созданный для работы в условиях высоких напряжений и токов. Данный модуль создан на основе технологии карбида кремния (SiC), что обеспечивает его высокую эффективность и надежность в различных условиях эксплуатации.
Общие характеристики:
- Тип транзистора: SiC N-канальный MOSFET
- Конфигурация: Полумост
- Максимальное напряжение на сток-исток (Vds): 1200 В
- Непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 145А (Tj)
- Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 5.4 мОм при 150А, 18В
- Пороговое напряжение (Vgs(th)): 5.15В при 60мА
- Заряд затвора (Qg): 446нК при 18В
- Емкость затвора (Ciss): 13200пФ при 800В
- Рабочая температура: от -40°C до 175°C (Tj)
- Тип монтажа: Монтаж на шасси
- Корпус: Модуль
Преимущества:
- Высокая эффективность: Технология карбида кремния (SiC) значительно снижает потери мощности, улучшая общую производительность системы.
- Высокая термостойкость: Работа при температурах до 175°C позволяет использовать модуль в экстремальных условиях.
- Низкое сопротивление Rds(on): Обеспечивает минимальные потери на проводимости.
Недостатки:
- Стоимость: Компоненты на основе карбида кремния могут быть дороже по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.
- Требования к управлению: Могут потребоваться специализированные драйверы для затворов из-за особенностей SiC технологии.
Типовое использование:
- Силовые инверторы
- Преобразователи мощности
- Системы управления двигателями
- Промышленные силовые установки
- Электротранспорт и зарядные станции
Рекомендации по применению:
- Следите за адекватным охлаждением модуля, особенно при высоких токах.
- Используйте подходящие драйверы для управления затвором MOSFET.
- Проверьте условия монтажа, чтобы обеспечить надежный тепловой контакт с шасси.
Возможные аналоги:
- FMF200GB120 от Fuji Electric
- CMF20120D от Wolfspeed
- SKiiP 4 от Semikron
Заключение:
FF6MR12W2M1HB11BPSA1 от Infineon — это высококачественный и надежный модуль MOSFET для мощных силовых приложений, обеспечивающий высокую эффективность и производительность благодаря внедрению технологии карбида кремния.
Важно: Внимательно ознакомьтесь с технической документацией от производителя перед применением компонента в вашем проекте.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.