FF6MR12KM1HHPSA1

72 240,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

Конечно! Вот подробное описание для компонента FF6MR12KM1HHPSA1 от Infineon:

FF6MR12KM1HHPSA1 от Infineon

Общее описание:

FF6MR12KM1HHPSA1 – это мощный модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) от Infineon Technologies. Предназначен для высокочастотных коммутационных приложений, этот модуль объединяет в себе превосходные электрические характеристики и высокую надежность.

Преимущества:

  • Высокая эффективность: Обеспечивает высокую эффективность за счет низкого падения напряжения и сниженных потерь на переключение.
  • Надежность: Совмещает высокую механическую прочность и термическую устойчивость.
  • Компактность: Компактный и легкий, что позволяет экономить место на плате.
  • Высокая токонесущая способность: Поддерживает работу с высокими токами.

Недостатки:

  • Высокая стоимость: Из-за высоких характеристик и надежности может быть дороже аналогичных решений.
  • Требует теплового управления: Необходима эффективная система охлаждения ввиду высоких рабочих токов и температур.

Типовое использование:

  • Приводы двигателей: Идеально подходит для использования в системах управления мощными электродвигателями.
  • Инверторы: Применяется в промышленных инверторах и преобразователях частоты.
  • Устройства плавного пуска: Используется в системах для плавного пуска мощных машин и оборудования.
  • Энергетические установки: Применяется в энергетических установках и UPS-системах.

Рекомендации по применению:

  • Теплоотвод: Обеспечьте надежное крепление теплоотвода для эффективного рассеивания тепла.
  • Применение драйверов: Используйте соответствующие драйверы для управления затвором.
  • Проверка на перегрев: Периодически проверяйте датчики температуры на предмет перегрева.
  • Защита от перенапряжения: Обеспечьте схемы защиты от перенапряжения для предотвращения повреждений.

Основные технические характеристики:

  • Тип транзистора: IGBT модуль
  • Максимальный коллекторный ток (Ic max): 1200A
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce max): 600V
  • Максимальная температура перехода (Tj max): 150°C
  • Потери при переключении: Низкие
  • Корпус: Модульный корпус

Возможные аналоги:

  • CM1200HC-34NFC от Mitsubishi Electric
  • MG1200J2YS50 от Toshiba
  • DIM800MTC от Dynex Semiconductor

Этот компонент FF6MR12KM1HHPSA1 является идеальным решением для использования в критически важных высокомощных приложениях благодаря своей надежности и высоким эксплуатационным характеристикам.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК