FF6MR12KM1BOSA1

MOSFET FF6MR12KM1BOSA1 от Infineon

Общее описание

MOSFET FF6MR12KM1BOSA1 - это высокоэффективный силовой модуль от компании Infineon Technologies, основанный на технологии CoolSiC™. Модуль сочетает передовые характеристики кремниевого карбида и низкие потери при переключении, что делает его идеальным для применения в высокочастотных и высокоэффективных системах.

Преимущества

• Высокая эффективность: Использование технологии SiC позволяет значительно уменьшить тепловые потери.
• Малое время отклика: Низкие потери при переключении обеспечивают высокую скорость переключения.
• Широкий диапазон рабочих температур: Надежная работа при экстремальных температурах от -40 °C до +150 °C (TJ).
• Компактный дизайн: Монтажный корпус типа AG-62MM обеспечивает простоту установки и высокую плотность мощности.

Недостатки

• Стоимость: В силу использования SiC технология, изделие имеет более высокую стоимость по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.
• Специфические требования к драйверам: Может потребоваться специальный драйвер для управления SiC MOSFET.

Типовое использование

• Инверторы для солнечных панелей: Высокая эффективность и низкие RDS(on) делают его отличным выбором для преобразователей солнечной энергии.
• Приводы электродвигателей: Обеспечивают высокую производительность и надежность.
• Блоки питания с высоким КПД: Оптимально для телекоммуникационных и серверных блоков питания.
• Автомобильная электроника: Используется в системах электропривода и зарядных устройствах для электромобилей.

Рекомендации по применению

• Учитывайте возможность значительного нагрева при высокой нагрузке и обеспечьте адекватное охлаждение.
• Для максимальной производительности используйте подходящие драйверы для SiC MOSFET.
• Проверьте совместимость с другими компонентами схемы, особенно в высокочастотных приложениях.

Основные технические характеристики

• Конфигурация: Двухканальный N-канал (полумост)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200В (1.2кВ)
• Ток стока при непрерывной эксплуатации (Id) при 25°C: 250А (Tc)
• Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds On) максимум при Id, Vgs: 5.81mΩ при 250A, 15V
• Напряжение открытия (Vgs(th)) максимум при Id: 5.15V при 80mA
• Заряд затвора (Qg) максимум при Vgs: 496нК при 15V
• Входная емкость (Ciss) максимум при Vds: 14700пФ при 800В
• Рабочая температура: От -40°C до 150°C (TJ)
• Монтаж: Крепление на шасси
• Корпус: Модуль типа AG-62MM

Возможные аналоги

• FF6MR12W2M1_B11 от Infineon: Подобный модуль с высоким Vds и Id, но в другом корпусе.
• Cree C3M0120100J: Альтернатива от другого производителя, также на основе технологии SiC.
• Rohm SCT3030AL: Подобный SiC MOSFET от Rohm.

Для более точного выбора аналогов и сопоставимой продукции рекомендуется консультироваться с техническими специалистами и изучать спецификации производителей.