FF55MR12W1M1HB70BPSA1

FF55MR12W1M1HB70BPSA1 от Infineon Technologies

Общее описание

FF55MR12W1M1HB70BPSA1 - это высокопроизводительный модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в полумостовой конфигурации, разработанный компанией Infineon Technologies. Он используется в силовых системах управления и переключения, обеспечивая высокие уровни эффективности и надежности. Модуль оснащен технологией CoolSiC™, которая сочетает в себе лучшие характеристики кремния и карбида кремния для достижения превосходных результатов.

Преимущества

• Высокая эффективность: Низкие потери мощности благодаря применению технологий CoolSiC™ и IGBT.
• Надежность: Обеспечивает длительный срок службы благодаря качественным материалам и совершенной конструкции.
• Эффективное управление теплом: Встроенный механизм управления теплом позволяет эффективно рассеивать тепло, что повышает общую производительность системы.
• Компактность: Компактный корпус облегчает внедрение модуля в различные системы.

Недостатки

• Высокая стоимость: Из-за использования передовых технологий модуль может быть дороже аналогов на рынке.
• Ограничения по температуре: Хотя модуль рассчитан на высокие температуры, важно соблюдать рекомендации по охлаждению для предотвращения перегрева.

Типовое использование

• Инверторы для фотовольтаических систем
• Промышленные приводы
• Бесщеточные двигатели постоянного тока
• Системы электропитания и источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электрические транспортные средства и зарядные станции

Рекомендуется применять

• В системах, требующих высокой надежности и длительного срока службы
• В проектах, где важно минимизировать энергорасходы и потери мощности
• В условиях, где компактный размер и высокое качество управления теплом являются критически важными

Основные технические характеристики

• Конфигурация: Полумост
• Тип канала: N-канал
• Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (V_ce): 1200 В
• Максимальный ток коллектора (I_c): 55 А
• Сопротивление при включении (R_ds(on)): Низкое
• Температурный диапазон: от -40°C до +150°C
• Мощность рассеивания: 20 мВт

Возможные аналоги

• FF100R12RT4 от Infineon Technologies
• MG100J1BS11 от Toshiba
• CM100DY-24H от Mitsubishi Electric

Заключение

Модуль FF55MR12W1M1HB70BPSA1 компании Infineon Technologies представляет собой передовое решение для управления мощностью в различных приложениях. Его высокая эффективность, надежность и способности теплорассеивания делают его идеальным выбором для современных силовых электроустановок.