FF4MR20KM1HPHPSA1
Описание
Описание компонента FF4MR20KM1HPHPSA1
Общее описание
FF4MR20KM1HPHPSA1 - это мощный кремниевый (SiC) MOSFET модуль от компании Infineon Technologies. Данный модуль предназначен для применения в высоковольтных и высокомощных приложениях. Обладая отличными характеристиками, такими как высокая эффективность, низкие потери переключения и улучшенная тепловая производительность, этот модуль является идеальным решением для различных промышленных и коммерческих применений.
Преимущества
- Высокая эффективность — благодаря использованию технологии SiC, модуль обеспечивает низкие потери переключения, что способствует повышению общей энергоэффективности системы.
- Улучшенная тепловая производительность — позволяет эксплуатировать устройство в широком диапазоне температур, обеспечивая стабильную работу даже в сложных условиях.
- Надежность — высокая прочность и долговечность позволяют использовать модуль в критически важной электронике.
Недостатки
- Высокая стоимость — технологии SiC, как правило, дороже по сравнению с традиционными Si MOSFET.
- Требуют специализированных контроллеров — для полной реализации потенциала SiC MOSFET необходимы соответствующие драйверы и схемы управления.
Типовое использование
- Инверторы для солнечных панелей
- Преобразователи для электромобилей
- Высокочастотные резонансные инверторы
- Промышленные источники питания
- Системы энергетического менеджмента
Рекомендации по применению
- Обеспечить правильное охлаждение для поддержания стабильной работы и предотвращения перегрева.
- Использовать подходящие драйверы для управления SiC MOSFET, чтобы обеспечить максимальную эффективность и производительность.
- Соблюдать все технические параметры и ограничения, указанные в документации на компонент.
Основные технические характеристики
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Конфигурация | 2 N-Channel |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 2000V (2kV) |
| Ток стока (Id) @ 25°C | 280A (Tc) |
| Сопротивление сток-исток (Rds On) | 5.3мОм @ 300A, 18V |
| Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 5.15V @ 168mA |
| Заряд затвора (Qg) @ Vgs | 1170нК @ 18V |
| Входная емкость (Ciss) @ Vds | 36100пФ @ 1.2kV |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C |
| Тип корпуса | Модуль, шасси монтаж (AG-62MMHB) |
Вопросы и дополнительные материалы
Для получения более подробной информации и технических данных, пожалуйста, обратитесь к [официальной документации](https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/) производителя.
Возможные аналоги
- C3M0065090J от CREE/Wolfspeed
- SCT3120AL от ROHM Semiconductor
- SiC-MOSFET Mod JFET от Littelfuse
Используйте данный модуль в соответствии с требованиями вашего проекта и наслаждайтесь превосходной производительностью и надежностью, обеспечиваемой технологией SiC от Infineon Technologies.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.