FF4MR20KM1HHPSA1

FF4MR20KM1HHPSA1 от Infineon

Общее описание

FF4MR20KM1HHPSA1 – это мощный модуль MOSFET от компании Infineon, выполненный на основе карбида кремния (SiC). Этот компонент предоставляет высокую производительность и надежность в различных высоковольтных приложениях. Он предназначен для монтажа на шасси и представлен в корпусе AG-62MMHB.

Преимущества

• Высокая рабочая температура: Поддерживает работу при температуре до 175°C, что делает его идеальным для применения в суровых условиях.
• Низкое сопротивление Rds(on): Обеспечивает высокую энергоэффективность и низкие теплопотери.
• Высокое напряжение стока до истока: 2000 В, что позволяет использовать компонент в высоковольтных цепях.
• Высокая допустимая токовая нагрузка: 280 А при 25°C, что делает этот модуль подходящим для тяжелых нагрузок.

Недостатки

• Высокая стоимость: Компоненты на основе SiC зачастую дороже своих аналогов на основе кремния.
• Большие габариты: Модульный корпус может затруднить интеграцию в компактные системы.

Типовое использование

• Инверторы высоковольтных источников питания
• Тяговые преобразователи для электромобилей
• Силовые преобразователи для возобновляемых источников энергии
• Системы управления двигателями

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Обязательно обеспечить эффективное охлаждение для поддержания температурного режима.
• Компетентность инженеров: Настоятельно рекомендуется, чтобы инженеры имели опыт работы с высоковольтными компонентами и SiC-устройствами.
• Защита от перегрузок: Используйте соответствующие схемы защиты для предотвращения перегрузок и пробоев.

Основные технические характеристики

• Технология: Карбид кремния (SiC)
• Конфигурация: 2 N-канальных транзистора
• Напряжение стока до истока (Vdss): 2000 В
• Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 280 А
• Сопротивление стока-исток (Rds(on)): 5.3 мОм при 300 А, 18 В
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 5.15 В при 168 мА
• Заряд затвора (Qg): 1170 нК при 18 В
• Входная емкость (Ciss): 36100 пФ при 1.2 кВ
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C

Возможные аналоги

• CAS100H12AM1 от Wolfspeed
• C2M0025120D от Cree
• APT50M75JBTG от Microsemi

Заключение

FF4MR20KM1HHPSA1 от Infineon – это мощный, надежный и высокоэффективный SiC MOSFET, подходящий для использования в высоковольтных и тяжеловесных условиях. Этот компонент обеспечивает оптимальные характеристики для разнообразных приложений, где важны высокая производительность и долговечность.