FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 от Infineon

Общее описание

IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 производства Infineon представляет собой модуль, который идеально подходит для высоковольтных и высокомощных приложений. Этот модуль с рабочим напряжением до 1200 В и максимальным током 170 А отлично справляется с задачами в области инверторов, приводов и других промышленных приложений.

Преимущества

• Высокая надежность – благодаря применению технологий Infineon этот транзистор обеспечивает стабильную работу в широком диапазоне температур и условий.
• Эффективность – низкие потери в открытом состоянии и высокая скорость коммутации снижают общие энергетические затраты.
• Простота монтажа – модульная конструкция облегчает установку и замену в устройствах.

Недостатки

• Стоимость – высококачественные компоненты и технологии могут увеличить стоимость конечного продукта.
• Требования к охлаждению – необходимо обеспечить достаточное охлаждение при полной нагрузке для предотвращения перегрева.

Типовое использование

• Инверторы для солнечных панелей и ветроэнергетических установок.
• Промышленные приводы и насосы.
• Источники бесперебойного питания (UPS).
• Преобразователи и системы управления энергетикой.

Рекомендации по применению

• Используйте адекватные радиаторы или системы жидкостного охлаждения для поддержания рабочей температуры.
• Следите за уровнем напряжения и тока для предотвращения превышения допустимых значений.
• Соблюдайте инструкции по монтажу и подключению, чтобы избежать механических повреждений и коротких замыканий.

Основные технические характеристики

• Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
• Максимальный непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 170 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds On) (макс) @ Id, Vgs: 4 мОм @ 200 А, 18 В
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) @ Id: 5.15 В @ 80 мА
• Заряд затвора (Qg) (макс) @ Vgs: 594 нКл @ 18 В
• Входная емкость (Ciss) (макс) @ Vds: 17600 пФ @ 800 В
• Максимальная мощность: 20 мВт
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Монтаж: Шасси монтаж
• Корпус: AG-EASY2B

Возможные аналоги

• FF300R12KE3 от Infineon
• MG150J2YS40 от Toshiba
• RGW60TS65CHR от Rohm

Этот модуль IGBT является высокопроизводительным и долговечным решением для широкого спектра промышленных применений, требующих высокую эффективность и надежность.