FF4MR12W2M1HB70BPSA1

Модуль MOSFET FF4MR12W2M1HB70BPSA1 от Infineon Technologies

Общее описание

FF4MR12W2M1HB70BPSA1 – это высокопроизводительный двухканальный модуль MOSFET на базе технологии CoolSiC Trench от Infineon Technologies. Модуль характеризуется низким энергопотреблением и высокой эффективностью, что делает его идеальным выбором для разнообразных силовых преобразователей и систем управления двигателями. Особое внимание уделено снижению требований к охлаждению, что позволяет интегрировать модуль в компактные решения.

Преимущества

• Высокая эффективность: Технология CoolSiC Trench обеспечивает минимальные потери энергии.
• Снижение требований к охлаждению: Оптимизированная конструкция для работы при высоких температурах.
• Длительный срок службы: Устойчивость к напряжениям и тока на высоких уровнях.
• Компактный дизайн: Прочный корпус, позволяющий использовать модуль в тесных пространствах.

Недостатки

• Высокая стоимость: Технология CoolSiC может быть дороже, чем традиционные кремниевые решения.
• Сложность интеграции: Для достижения максимальной эффективности может потребоваться более сложное проектирование.

Типичное использование

• Силовые преобразователи: Применяется в различных типах инверторов и блоков питания.
• Управление двигателями: Используется в промышленном и бытовом оборудовании для управления двигателями.
• Возобновляемые источники энергии: Эффективно применяется в солнечных и ветровых генераторах.

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Несмотря на сниженные требования, убедитесь в достаточном охлаждении для продолжительной работы.
• Электроизоляция: Предусматривайте защитную изоляцию для предотвращения коротких замыканий.
• Тестирование в реальных условиях: До интеграции в проект проведите тестирование модуля в условиях, максимально приближенных к рабочим.

Основные технические характеристики

• Напряжение: 1200 В
• Ток: 200 А
• Тип каналов: Два канала N-канала
• Максимальная рабочая температура: 150°C
• Корпус: Шасси

Возможные аналоги

• FF6MR12KM1B: Модуль с аналогичными параметрами, но с некоторыми изменениями в производительности.
• FF300R12KE3: Отличный выбор для применения в высокомощных системах с напряжением до 1700 В и током до 300 А.
• APTGT35H60T2G: Модуль IGBT, который может использоваться для замены MOSFET в определенных приложениях.

Для получения дополнительной информации, включая схемы подключения и примеры применения, пожалуйста, ознакомьтесь с технической документацией, доступной на официальном сайте Infineon Technologies.