FF4MR12W2M1HB11BPSA1

65 520,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

Название: FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Производитель: Infineon Technologies

Общее Описание

FF4MR12W2M1HB11BPSA1 от Infineon Technologies - это модуль, состоящий из двух N-канальных MOSFET на основе карбида кремния (SiC), который обеспечивает непревзойденную производительность при высокой мощности. Этот компонент специально разработан для применения в высоковольтных и высокотоковых цепях.

Преимущества

  • Высокая эффективность за счет низкого сопротивления Rds(on)
  • Способность работать при высоких температурах
  • Высокая скорость коммутации, что уменьшает потери на переключение
  • Повышенная надежность благодаря термической устойчивости карбида кремния (SiC)

Недостатки

  • Более высокая стоимость по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET
  • Требуется точное управление затвором для предотвращения перенапряжения

Типовое Использование

  • Силовые инверторы
  • Преобразователи DC-DC
  • Электродвигатели (промышленные и бытовые)
  • Системы управления питанием
  • Солнечные инверторы

Рекомендации по Применению

  • Используйте соответствующее охлаждение для поддержания температуры в пределах рабочей температуры
  • Обеспечьте качественное управление затвором для минимизации потерь на переключение
  • Смотрите типовую схему приложения в документации производителя для правильной интеграции

Основные Технические Характеристики

  • Конфигурация: Двойной N-канальный (Полумост)
  • Напряжение пробоя (Vds): 1200 В (1.2 кВ)
  • Ток стока (Id) при 25°C: 170 А (максимум)
  • Сопротивление сток-исток (Rds(on)): 4 мОм @ 200А, 18В
  • Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 5.15 В @ 80 мА
  • Заряд затвора (Qg): 594 нКл @ 18 В
  • Входная емкость (Ciss): 17600 пФ @ 800 В
  • Рабочая температура: -40°C до 175°C (TJ)
  • Тип монтажа: На шасси
  • Корпус: Модуль

Возможные Аналоги

  • CREE CAS300M12BM2: Аналогичный SiC MOSFET модуль с высокоэффективными характеристиками
  • ROHM BSM300D12P2E001: SiC модуль с схожими электрическими параметрами

Для получения более подробной информации о продукте и его применении, рекомендуется ознакомиться с документацией производителя.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК